Фоторезисты с химическим усилением: прорывное направление или тупик

Оптимальные условия экспонирования
Определение оптимального времени экспонирования следует производить с помощью ступенчатого клина Што-уффера. Существует линейная зависимость между проявлением ступеней клина Штоуффера и экспонированием (см. рис. 2), также нужно учитывать то, что не все радиометры считывают одинаковые показания энергии экспонирования. После проявления рекомендуется 7—8 ступень по 21 ступенчатому клину Штоуффера, покрытая фоторезистом, допускается частичное разрушение фоторезиста на ступени, но его остаток должен быть более 50%.

Рис. 2. Экспонирование ступенчатого клина Штоуффера
Тип фоторезиста и особенности процесса экспонирования влияют на выбор оптимальной энергии экспонирования. Для фоторезиста Огс1у1 она может варьироваться в пределах 8.60 мДж/см2. Далее приводятся некоторые основные показатели, обеспечивающие оптимальный выбор и влияющие на процесс экспонирования фоторезиста.
Увеличение энергии экспонирования вызывает:
— увеличение полимеризации, что увеличивает устойчивость к дальнейшей химической обработке;
— увеличение диапазона времени проявления;
— уменьшение протравов при травлении и коротких замыканий при металлизации.
Негативные моменты экспонирования с более высокой энергией:
— уменьшается разрешающая способность фоторезиста;
— увеличивается вероятность дефектов экспонирования (эффект расплывчатости, вуаль);
— труднее полностью удалить фоторезист.
Время межоперационного хранения
Проявление можно выполнить сразу же после экспонирования, в противном случае допускается хранение заготовок в темном месте в течение нескольких дней.
Освещение
Чтобы получить требуемую энергию для засветки фоторезиста, интенсивность освещения должна быть выше 5 мВт/см2.
Обычно, новая УФ-лампа дает интенсивность освещения около 18 мВт/см2.
Постоянная ширина проводника
Фоторезист, обладающий более высоким разрешением, характеризуется меньшим увеличением ширины проводника при воздействии на него избыточной энергии экспонирования.