Fotoenergetikada nanostrukturali yarimo‘tkazgich materiallar II xalqaro ilmiy anjumani

Fotoenergetikada nanostrukturali yarimo‘tkazgich materiallar

II xalqaro ilmiy anjumani 
 
19-20 noyabr 2021 yil 
11 
глобального потепления; солнечное электричество будет доминирующим 
источником энергии к концу 21 века благодаря практически не истощаемому 
ресурсу её энергии — Солнцу. Можно отметить, что важной проблемой 
традиционной 
солнечной 
фотоэнергетики 
является 
высокая 
стоимость 
монокристаллических кремниевых солнечных батарей, основного материала на 
рынке солнечной энергетики. 
Кроме приведенных факторов, касающихся энергетики, имеются и 
социальные факторы, стимулирующие развитие солнечной фотоэнергетики. Более 
двух миллиардов людей в мире не имеют доступа к централизованному снабжению 
электричеством и большинство из них живет в солнечном поясе Земли. 
Электрическая энергия является ключом для повышения уровня жизни в районах, 
не имеющих снабжения электричеством и солнечная энергия могла бы стать 
доминирующим децентрализованным источником энергии в этих районах, 
благодаря ее практически неограниченному ресурсу. 
Новые возможности для дальнейшего увеличения КПД солнечных элементов 
открываются с применением нанотехнологий. Получение такого материала, 
которое осуществляют в своих исследованиях ученые ТашГТУ в научной школе 
академика Бахадырханова М.К., возможна в случае формирования в 
кристаллическом слое кремния нанокластеров размерами менее 10 нм, 
разделенных еще меньшими расстояниями. В связи с этим очень важно 
исследовать 
возможность 
синтеза 
нового 
материала, 
состоящего 
из 
монокристаллической кремниевой матрицы, содержащей плотный массив 
нанокластеров предельно малых размеров. Практическое значение этих работ 
объясняется тем, что такой материал может без существенного изменения 
основных технологических приемов изготовления кремниевых солнечных батарей 
значительно увеличить их эффективность путем введения в активную область 
батареи полупроводниковой прослойки с промежуточной зоной проводимости. 
Отметим, что технология получения квантовых точек в гетероэпитаксиальных 
структурах на основе соединений А3В5, А2В6 и Ge/Si для целей фотоэлектроники 
также исследуется учеными ТашГТУ.

---