Fotoenergetikada nanostrukturali yarimo‘tkazgich materiallar II xalqaro ilmiy anjumani

Fotoenergetikada nanostrukturali yarimo‘tkazgich materiallar

II xalqaro ilmiy anjumani 
 
19-20 noyabr 2021 yil 
270 
– коэффициент термо-Э.Д.С равна. α≈ 300 мкВ/К, 
– постоянная времени(быстродействие) равна τ≤10
(-6)
с, 
– электрическое сопротивления элемента не более 200 Ом, 
Очевидно, что описанные свойства плёнок ВСМ позволяют создать 
неселективные приёмники теплового излучения в условиях измерения 
быстропротекающих процессов при записи информации на запоминающие 
устройства, а также при передаче данных на расстояние. 
Литература
1.
Больтакс Б.И. диффузия в полупрводниках. ФМ, Москва 1961. с.462 
2.
Болтакс Б.И., Бахадирханов М.К., Городецкий С.М., Куликов Г.С. 
Компенсированный кремний. Л-д: Накка, 1972. с.122. 
3.
Зайнабиданов С. Физические основы образование глубоких уровней 
в кремнии. Ташкент: Фан, 1984. с. 160. 
4.
Юнусов М.С. Физические явления в кремнии, легированным 
элементами платиновой группы. Ташкент: Фан, 1983. с.80 
5.
Нистрюк И.В., Серегин П.П., Больтакс Б.И. Диффузионное 
распеределение и состаяние атомов кобальта в кремнии. //ФТТ. 1976. Т. 18. Вып. 
3. с. 592 – 595
6.
Martin J., Haas L. und Raitel K. Radichemische Untersuchungen zur 
Diffusion von Gold in Silicum. //Sol. St. Elektr. 1966. V. 9. N. 1. p. 83 – 85
7.
Бахадирханов М.К., Больтакс Б.И., Куликов Г.С. Диффузия, 
электроперенос и растворимость примеси марганца в кремнии. //ФТТ. 1972. Т. 
14. Вып. 6. с. 1671 – 1675
8.
Gilles B., Bergholz W. fnd Schröer W. Diifusion of manganese in silicon 
studied by deep-level transient spectroscopy and tracer measurements. //J.Appl. Phys. 
1986. V. 59. N. 10. p. 3590 – 3593
9.
Шанк.Ф.А. Структуры двойных сплавов. Втор. дополн. изд. М.: 
металлургия, 1973. с. 760. 
10.
Самсонов Г.В., Дворина Л.А., Рудь Б.М. Силициды М.: 
Металлургия, 1979. с.272. 
11.
Гельд Н.З., Сидоренко Ф.А. Силициды переходных металлов 
четвёртого периода. М.: Металлургия, 1971. с. 323. 
12.
Ильченко В.В., Стриха В.И. Перестройка электронной структуры 
границы раздела силицид металла-кремний при низкотемпературном отжиге. 
//Укр. Физ. Журнал. 1983. Т. 28. №2. с. 248 – 252. 
13.
Kamilov T.S., Sadullaev B.L., Ganiev U.Sh. and Kamilov B.T. 
//Semicond. Sci. Technol. 13(1998) 496 – 499. 
14.
Kamilov T.S., Chirva v.P., Kabilov D.K. // Semicond. Sci. Technol. 
14(1999) 1012 -1017. 
15.
Адамбаев К., Зайцев В.К., Камилов Т.С., Куликов Г.С., Назыров 
Д.Э., Ордин С.В. //Поверхность, Физика, химия, механика, №7, 1988, с.66 – 70. 

---