Fotoenergetikada nanostrukturali yarimo‘tkazgich materiallar II xalqaro ilmiy anjumani

Fotoenergetikada nanostrukturali yarimo‘tkazgich materiallar

II xalqaro ilmiy anjumani 
 
19-20 noyabr 2021 yil 
265 
Further investigations into an optimized technology for the production of 
high - purity silicon and germanium used in the manufacture of components of the 
microelectronic industry using high-performance and precision control methods is 
likely. 
The obtained silicon and germanium of high purity can be used for the 
production of digital chips and microprocessors, which will significantly reduce 
the cost of the final product.
 
The idea is related to the material science, precise 
machine building and instrument engineering, the creation of new chemical 
materials, using high-precision methods e.t.c. the basics of which are well-
developed. Production is carried out on the basis of proven technologies and using 
mass-produced materials and components.
 
ЭЛЕКТРОФИЗИЧЕСКИЕ СВОЙСТВА ПЛЁНОК ВЫСШИЕ 
СИЛИЦИДА МАРГАНЦА В КРЕМНИЙ 
 
Зикриллаев Н.Ф.,
1
Т.С.Камилов, Хусинов А.Д.
2,
Курбоналиев К. К
2
Вахобов К.И, Турсунов О.Б. 
Ташкентского государственного технического университета, ул. 
Университетская 2, 100095 г. Ташкент, Узбекистан, e-mail:[e-mail] 
преподаватель-практикант кафедры "методика преподавания физики и 
астрономии" Коканского государственного педагогического института. 
Туранская ул., 23 Кокан, Узбекистан, 
Аннотация
: 
Исследование 
инжекционных 
явления 
в 
компенсированных 
полупроводниках, в частности кремнии легированного различными 
примесными атомами создающие глубоких энергетических уровня в 
запрещенной зоны дают ценную и полезную информацию о природе этих 
уровней, а также дает возможности определения физического механизма 
токопрохождения в таких материалах. Данная работа посвящена получения 
инжектирующих контактов на основе кремния, легированного примесными 
атомами марганца. Для получения инжекционных контактов p
+
- p
-
p
-
и n
+
-n-n
-
были 
использованы 
в 
чувстве 
исходного 
материала 
пластинка 
промышленного кремния КДБ – 2, КДБ -7,5 и КДБ – 10 диметром 76 мм. 
Диффузия бора или фосфора в кремниевым проводилась из твердого 
источника нитрид бора BN и пяти окись фосфора P
2
O
3
. Управляет 
температурой диффузии, была получена структуры база, которых имена как 
дырочную, так и электронную проводимость с различными значениями 
удельного сопротивления. Полученные результаты исследования позволяет 
создавать инжекционные контакты технология которого приближается к 
заводним условиями, что позволяет создавать на основе кремния, 
легированного 
примесными 
атомами 
марганца 
различных 
полупроводниковых приборов. 

---