Fizikaning hozirgi zamon ta’limidagi o’rni

“Fizikaning hozirgi zamon ta’limidagi o’rni”. Samarqand 2019-yil 13-14 dekabr.
 
335 
Таблица 2. 
Массовые коэффициенты поглощения на длинах волн излучений Sb, Bi, Te 
L
α1
Sb 
L
α1
Te 
L
α1
Bi 
𝜇
𝑺𝒃
𝑺𝒃
=413 
𝜇
𝑻𝒆
𝑻𝒆
=392 
𝜇
𝑩𝒊
𝑩𝒊
=113,4 
𝜇
𝑺𝒃
𝑻𝒆
=440 
𝜇
𝑻𝒆
𝑺𝒃
=368 
𝜇
𝑩𝒊
𝑺𝒃
=121 
𝜇
𝑺𝒃
𝑩𝒊
=1417 
𝜇
𝑻𝒆
𝑩𝒊
=1523 
𝜇
𝑩𝒊
𝑻𝒆
=127,3 
В таблице 3 приведены результаты измерений соотношения интенсивностей 
характеристического излучения К
А
(SЬ), К
А
 (Те), К
А
(Вi) и расчеты атомных концентраций для 
нескольких образцов.
Данные рентгеноспектрального анализа образцов. Таблица 3.
Источ-
ник
Т
п
=50°С
Т
п
=90°С
Т
п
=150°С
1 
2 
3 
1 
2 
3 
1 
2 
2
I 
3 
K
A
(Sb)
 
0,303 
0,118 
0,198 
0,537 
0,150 
0,231 
0,490 
0,120 0,462 
0,499 
0,551 
K
A
(Te) 
0,614 
0,837 
0,758 
0,326 
0,912 
0,702 
0,306 
0,815 0,359 
0,318 
0,300 
K
A
(Bi) 
0,154 
0,025 
0,024 
0,167 
0,049 
0,026 
0,189 
0,020 0,166 
0,179 
0,189 
n(Sb) 
30,9% 12,7% 20,8% 565,6% 14,4% 25,4% 54,8% 13,3% 51,1% 54,9% 58,6% 
n(Te) 
59,8% 85,6% 77,5% 32,9% 82,7% 72,8% 32,9% 85,3% 38,1% 33,5% 29,6% 
n(Bi) 
9,3% 
1,7% 
1,6% 
10,5% 
2,9% 
1,8% 12,4% 1,4% 10,8% 11,6% 11,8% 
1-измерения со стороны границы раздела пленка-подложка; 
2 и 2
I
–измерения после травления пленки; 
3-измерения на поверхности пленки. 
Первый столбец соответствует соединению, используемому в качестве источника для 
испарения. Остальные столбцы соответствуют пленкам, сконденсированным при различных 
температурах подложки T
n
=50, 90 и 150°С. Данные столбцов, обозначенных цифрой I, получены 
при измерении химического состава пленок со стороны границы раздела пленка-подложка. 
Столбцы, обозначенные цифрой 2, полученные при измерении состава со стороны поверхности 
пленки, после удаления половины ее толщины, т.е.~2,5 мкм. В 3-ем столбце приведены результаты 
измерения состава на поверхности пленок. В предпоследнем столбце, обозначенном цифрой 2, 
состав измерялся на глубине около 1 мкм от поверхности пленки, полученной при Т
n
= 150°С 
Из последних трех строк таблицы 3 видно, что локальный химический состав пленок системы 
Вi-Sb-Te существенно изменяется по толщине. Это обусловлено диссоциацией на молекулы 
исходного соединения при испарении: ВiTe, SbТe, Те
2 
и Sb различием в давлениях паров этих 
молекул. Измерения показывают, что состав источника соответствует (В
0,25
Sb
0,25
)Te
2
.
Характерной особенностью всех пленок является обогащение их теллуром вблизи подложки, 
а в приповерхностном слое - сурьмой. Причем, вблизи подложки химический состав всех пленок 
приблизительно одинаковый и не зависит от Т
п
[3] . Отличительной особенностью пленок, 
полученных при Т
п
~ 150°С по сравнению с Т
п
=50 и 90°С, является обеднение теллуром на 
меньшем расстоянии от подложки. Таким образом, диссоциация при испарении исходного 
соединения ((В
0,25
Sb
0,75
)Te
2 
приводит к значительному изменению химического состава пленки по 
толщине. 
Литература 
1. Белк Дж. Количественный рентгеноспектральный анализ сложных систем. /Физические 
основы рентгеноспектрального анализа. Персанг.–М. Наука.1973. С. 248-259. 
2. Heinrich K.F.I. x-ray absorption uncertainty. The Electron Microprobe. Washington D.C., 
October 1966, John Willy and Sons. -1966. –№
4.
3. Онаркулов К.Э., Юлдашев А.А., Азимов Т., Йўлдошқори Ш. Висмут-сурма теллурид 
юпқа пардаларнинг электрофизик хоссаларига технологик жараённинг таъсири. //ФарДУ 
илмий хабарлар. 2017. №2. С.32. 

---