Выводы: 1. Впервые сделана попытка построения диаграммы состояния бинарной
системы Er-In методом измерение магнитной восприимчивости (или ТМА).
2. Установлено, что результаты ТМА коррелируют с результатами ДТА для изучаемой
системы. На основании этого экспериментального факта можно рекомендовать метода ТМА
как независимый метод для построения диаграммы фазового равновесия бинарных систем
РЗМ-НМ в области концентрации (50-100) ат.%НМ.
“Fizikaning hozirgi zamon ta’limidagi o’rni”. Samarqand 2019-yil 13-14 dekabr.
262
Литература:
1. Кувандиков О.К., Шакаров Х.О. Структурные и магнитные свойствва соединений
редкоземельных металлов с нормальными и преходными металлами при высоких
темпертурах. –Т..‹‹Fan va tenologiya››, 2017.-308с.
2. Yatsenko S.P., Semyannikov A.A., Shakarov H.O., Fedorova E.G. Phase diagrams of binary
rare earth metal-indium systems//J.Less-Comon. Metals.-1983.-v.90.-№1.-pp.95-
3. Шакаров Х.О. Магнитная восприимчивость интерметаллидов в системе Er-In при
высоких температурах//. Известия вузов. Физика.- 2004.- №12.- с.7-10.
ПОЛУЧЕНИЯ ОМИЧЕСКИХ КОНТАКТОВ В ПОЛУПРОВОДНИКАХ С ПОМОЩЬЮ
ЛАЗЕРНОЙ СВАРКИ
Салоҳитдинов.Ф.А., Арзиқулов Э.У.,Ғуломов Ғ., Эшмаматов С.Қ.
Самаркандский государственный университет
Лазерные импульсы с высокой плотности мощности применяются в различных областях
физики и технологии. В данной работе приводятся особенности получения омических
контактов с проволочными выводами в пленках толщиной d>50 мкм и массивных
кристаллических полупроводниковых образцов с помощью импульсного лазерного излучения.
Разрабатываемый и исследуемый в настоящей работе метод получения омических контактов с
помощью импульсного лазерного излучения взамен пружинных прижимных контактов
обладает рядом преимуществ: отсутствия нестабильного контакта, омичность, повышенной
механической прочностью и герметичностью соединения. Технологический процесс основано
на тепловом действии импульсного лазерного излучения на образец, а именно нагрев
поверхности кристалла до температуры плавления а также движение испаряемости вглубь
кристалла. Проходящие процессы а также взаимодействия лазерного излучения связанно с его
мощностью и длительности воздействия. Для передачи энергии излучение импульсного лазера
к месту соединения контакта с кристаллом служат оптическая система, состоящие из
фокусирующих, отражающих и преломляющих оптических элементов. Применение
оптических элементов позволяет, уменьшит размеры сфокусированного пучка, и реализовать
достаточно удобный способ сварки контактных выводов изменяя размеры пятна лазерного
излучения.
Основными элементами твердотельного лазера на кристалле иттрий алюминиевого
граната, активированного ионами Nd
+3
(YAG:Nd
+3
) является, резонатор помещенной в него
активной средой, источник накачки с оптической системой накачки, источник питания и
система запуска. В основе работы лазера лежит принцип индуцированного лазерного
излучения, получаемого путем оптической накачки газоразрядной лампой активной среды [1].
В лазере Квант 15 в качестве активной среды используется монокристаллы YAG: Nd
+3
.
Оптическая накачка монокристаллов YAG осуществляется лампой ИНП-6/90А ксеноновым
наполнением. Излучение лампы фокусируется кварцевым цилиндрическим отражателем на
монокристалл YAG :Nd
+3
. Часть излучение лампы накачки, попадающая в полосы поглощения
трехвалентного неодима, поглощается в монокристалле и переводит ионы неодима в
возбужденное состояние. Электромагнитная волна, совпадающая по частоте с
инвертированным переходом, усиливается при распространении активной среды. Таким
образом, активный элемент YAG:Nd
+3
возбуждаемой газоразрядной лампой накачки,
представляет оптический усилитель. Режим генерации простейшего лазера неуправляем,
благодаря чему он получил название свободной генерации. На рис.1, приведена осциллограмма
лазерного излучения получаемого установкой Квант 15.
Do'stlaringiz bilan baham: |