Fizikaning hozirgi zamon ta’limidagi o’rni

“Fizikaning hozirgi zamon ta’limidagi o’rni”. Samarqand 2019-yil 13-14 dekabr.
 
255 
Полученные результаты естественно связать с влиянием адгезии и эпитаксии на фазовый 
переход, которое может быть сведено к вкладу в энергетический баланс составляющей σ/d, где σ-
плотность поверхностной энергии; d - толщина пленки. Физически это может означать, что 
поскольку рост пленок происходит при температуре выше температуры ФПМД, то ориентация 
кристаллических 
осей 
высокотемпературной 
тетрагональной 
фазы 
стабилизируется 
эпитаксиальными силами со стороны подложки, и это затрудняет перестройку кристаллической 
структуры при фазовом переходе. Стабилизация фазтонких слоях за счет поверхностных эффектов 
- распространенное явление в физике тонких пленок. 
Литература: 
1. 
Urinov X.O., Salakhiddinov A.N., Mirzakulov Kh.B. Determining the Magnetization of Thin 
Films by Measuring Torque //Bulletin of the Russian Academy of Sciences:Physics -2019. –,Vol 83, №7. 
P.956-959 
2. 
X O Urinov, X A Jumanov, А K Amonov Martensitic transformations in VO2 films// IOP 
Conf. Series: Materials Science and Engineering 665 (2019) 012013 
МЕТОДЫ АВТОМАТИЗАЦИИ ПРИ ПОСТРОЕНИИ ЭКВИВАЛЕНТНЫХ СХЕМ 
ПОЛУПРОВОДНИКОВЫХ ПРИБОРОВ С ДЕФЕКТАМИ СТРУКТУРЫ 
Абдикамалов Б.А., Тагаев М.Б., Статов В.А. 
Каракалпакский государственный университет. Automation techniques for defect-contained 
semiconductor devices equivalent schemes creation 
Abdikamalov B.A., Tagaev M.B., Statov V.A. 
Karakalpak State University 
Значительный прогресс в области численного моделирования приборов твердотельной 
электроники привел к разработке программных комплексов численного моделирования 
позволяющих в надежно предсказывать особенности токопрохождения в полупроводниковых 
структурах различной формы, с различными механизмами токопрохождения, топологической 
структурой и профилями легирования. 
Тем самым открывается возможность и для численного моделирования полупроводниковых 
приборных структур со структурными дефектами разнообразного происхождения—линейными 
дислокациями, дислокационными петлями, дефектами упаковки. До настоящего времени эта 
проблема не привлекала достаточного внимания и в основном влияние дефектов в активной области 
изучалось либо экспериментально, либо с использованием приближенных аналитических моделей. 
Однако значительные успехи в области микроскопических методов исследования 
полупроводниковых структур в последние десятилетия дали много новой ценной информации о 
характеристиках и происхождении различных точечных и структурных дефектов, их 
взаимодействии с электронной подсистемой. Были значительно уточнены параметры рассеяния 
носителей тока, расширено представление о захвате носителей на глубокие центры различной 
природы и, что наиболее существенно, благодаря современным методам исследования 
полупроводников, удалось во многих связать типы дефектов, обнаруживаемые и классифицируемые 
с помощью различных электрофизических методов (таких как релаксационные методы, 
микроплазменная характериография, фотоэлектрические исследования) с конкретными 
физическими объектами - идентифицированными примесными комплексами и различными 
нарушениями решетки. Таким образом, применение уже существующих, апробированных и 
надежных методов численного моделирования транспорта носителей в полупроводниковых 
структурах с различными профилями легирования, геометрией и дефектами. Другой существенной 
предпосылкой является все более широкое распространение не только методов компьютерного 
проектирования электронных схем, но и интеграция с CAD-системами модулей моделирования их 
переходных характеристик (например широко распространенные SPICE- модели) а также средств 
автоматической генерации схем, в особенности в цифровой электронике. Такие системы требуют 

---