Fizika-matematika

ventil fotoelement rejimi deyiladi.

Agar p-n o’tishga yopuvchi yo’nalishda U kuchlanish berilsa yoritish sharoitida u fotodiod rejimida ishlaydi.bunday holda teskari VAX ning to’yinish qismi shilash qismi deyiladi. Teskari kuchlanish ancha katta bo’lgan holda p-n o’tish orqali oqayotgan tok fototokdan va teskari tokdan iborat I=_{ } (5) zanjirdagi tok esa; I=_{ } fotodiod tenglamasi; _{ }(_{ } (6) bunda _{ } bo’lganda diodning ma’lum tenglamasiga aylanadi.

Yoritilayotgan fotodiodning nazariy VAX ini tekshirishda “ Kumerov “ quydagi farazlarga asoslagan;

1. 
   P-n o’tish sohasining qalinligi (d_p-n ) p-n sohalar o’lchamiga hamda sohalarda zaryad tashuvchilarning diffusion uzunligi L_nd ga nisbatan juda kichik . Shu tufayli rekombinatsiya hisobga olinmaydi.
   
2. 
   P-n sohasidan tashqarida elektr maydon yo’q ya’ni ; zaryad tashuvchilar faqat diffusion harakat qiladilar.
   
3. 
   Zaryad tashuvchilar konsentratsiyasi yetarlicha kichik shuning uchun ham Bolsman statistikasidan foydalanish mumkin.
   

Xulosa qilib aytganda, Ventil rejimidan yorug’lik energiyasiga aylantirishda va kichik energetikada foydalaniladi. Fotodiod rejimi esa yorug’lik signallarini elektr signallariga aylantirishda qo’llaniladi va optoelektronikada, o’lchashlar texnikasida, avtomatikada katta ahamiyatga egadir

e(∆-v_i)

Q_M




w_d





𝛞_M

E_vac

𝛞₀

𝛞_n



E_vac

E_v



E_v

E_v

Maydoniy tranzistor yoki unipolyar tranzistorlarning yaratilishi avstriya-vengriyalik fizik Yuliy Edgar Lilienfild nomi bilan bogʻliq. U tokni boshqarishning yangi yoʻlini taklif qilgan. U taklif qilgan usulga koʻra, tok uzatish yoʻli boʻylab unga koʻndalang elektr maydon qoʻyiladi. Bu elektr maydon zaryad tashuvchilarga taʼsir qilib, oʻtkazuvchanlikning yoʻnalishini oʻzgartiradi. Ushbu kashfiyot uchun Kanada (1925-yil 22-oktabrda) va Germaniyada (1928-yilda) patent olgan.

1934-yilda nemis fizigi Oskar Xayl ham Buyuk Britaniyada ixtiro qilgan „kontaktsiz rele“si uchun patent olgan. Maydoniy tranzistorlar sodda elektrostatik effektga asoslangan va unda kechadigan jarayonlar bipolyar tranzistorlarga qaraganda oddiy boʻlishiga qaramasdan toʻliq ish holatidagi maydoniy tranzistorlarni yasash uchun juda koʻp vaqt ketdi.

1920-yilda patentlangan va hozirda kompyuter sanoatining asosini tashkil etadigan birinchi MDS maydoniy tranzistor birinchi boʻlib 1960-yilda amerikalik olimlar Kang va Atallaning ishidan soʻng yaratilgan boʻlib, ular kremniy sirtini oksidlash orqali uning sirtida dielektrikining kremniy dioksidining juda yupqa qatlamini hosil qilishni taklif qildilar. Bu qatlam oʻtkazgich kanalidan metall zatvorni izolyatsiya qilish vazifasini bajarardi. Bunday bunday tuzilishga MOS strukturasi deyiladi (Metall-oksid-yarim oʻtkazgich, inglizcha metall-oxide-semiconductor).

XX asrning 90-yillaridan boshlab esa MOS-struktura bipolyar tranzistorlardan yetakchilikni tortib oldi.