Fertigung und Erprobung eines Mikro-Wirbelstromsensors zur Abstandsmessung

Maskenjustier- und Belichtungsanlage

Für die Belichtung von Photoresists bei der Wirbelstromsensorherstellung kommt die Maskenjustier- und Belichtungsanlage MA6 der Firma „Süss Microtech“ zum Einsatz.




2005 imt 5017-037
Bild 5.10: Maskenjustieranlage MA6 der Fa. Süss Microtech

Diese Belichtungsanlage besteht aus der Maskenjustier- und Belichtungseinheit und einem Steuergerät. Die Justier- und Belichtungseinheit setzt sich aus einem Justiertisch, einem Keilfehlerausgleichkopf mit Belichtungs-Chuck, einem Mikroskop

und der Belichtungseinheit zusammen (Bild 5.10). Zuerst wird die Maske auf dem Maskenhalter positioniert und mittels Vakuum angesaugt. Der zu belichtende Wafer wird auf dem Belichtungs-Chuck positioniert und ebenfalls mit Vakuum befestigt. Wenn sich der Wafer auf dem Chuck befindet, wird er nach oben unter die Maske bewegt. Bei der Justage wird der Wafer zuerst in einem kleinen Abstand zur Maske gehalten, so dass man den Tisch mit der Maske relativ zum Wafer bewegen kann. Nach der Justage wird der Belichtungsabstand gewählt. Dabei bestehen drei Möglichkeiten für die Belichtung:

1. 
   Softkontakt-Belichtung: Der Wafer wird ohne Kontakt (Proximity-Belichtung) mit der Maske belichtet. Der Belichtungsabstand kann in Mikrometerschritten durch das gewählte Programm eingestellt werden.
   
2. 
   Hartkontakt-Belichtung: Dabei wird der Chuck im Abstand von wenigen Mikrometern an die Maske gebracht, so dass der Wafer fest an die Maske gedrückt wird. Zur Belichtung wird das Vakuum im Chuck abgeschaltet und Stickstoff zwischen Chuck und Wafer eingeblasen.
   
3. 
   Vakuumkontakt-Belichtung: Bei dieser Belichtungsart wird der Wafer nach der Justage an die Maske herangefahren und das Vakuum im Chuck abgeschaltet. Die Vakuumsaugzeit ist so bemessen, dass Maske und Wafer in Kontakt sind. Diese Belichtungsvariante bietet die bestmögliche Auflösung da Abscheidungsfehler durch Beugungseffekte minimiert werden, führt aber zu Maskenverschleiß.
   

3.