Fargʻona Politexnika Instituti Qurilish fakulteti

„ferromagnetik (Co{\displaystyle _{84}}Fe{\displaystyle _{16}}) — kremniy — ferromagnetik (Ni{\displaystyle _{80}}Fe{\displaystyle _{20}}) − aralashmali kremniy“ koʻrinishidagi qalin strukturaga ega boʻlgan spinli tranzistorlar. Birinchi ferromagnitli qatlamdan oʻtgandan soʻng tok spin-polyarizatsiyaga ega boʻladi, ushbu polyarizatsiya (qutblanish) kremniyli qatlamdan oʻtish vaqtida qisman saqlanib qoladi (2007-yilda 350 {\displaystyle \mu }m qalinlikdagi kremniy qatlamdan oʻtganda elektronlarning 37 % ida spin polyarizatsiya saqlanib qolgan).Bu esa chiqishda spin tokining qiymatini ikki qavatli ferromagnit qatlamining magnit maydoni yordamida oʻzgartirish imkonini beradi (gigant magnit qarshiligi);

• „ferromagnetik (Co{\displaystyle _{84}}Fe{\displaystyle _{16}}) — kremniy — ferromagnetik (Ni{\displaystyle _{80}}Fe{\displaystyle _{20}}) − aralashmali kremniy“ koʻrinishidagi qalin strukturaga ega boʻlgan spinli tranzistorlar. Birinchi ferromagnitli qatlamdan oʻtgandan soʻng tok spin-polyarizatsiyaga ega boʻladi, ushbu polyarizatsiya (qutblanish) kremniyli qatlamdan oʻtish vaqtida qisman saqlanib qoladi (2007-yilda 350 {\displaystyle \mu }m qalinlikdagi kremniy qatlamdan oʻtganda elektronlarning 37 % ida spin polyarizatsiya saqlanib qolgan).Bu esa chiqishda spin tokining qiymatini ikki qavatli ferromagnit qatlamining magnit maydoni yordamida oʻzgartirish imkonini beradi (gigant magnit qarshiligi);
• Zamonaviy CMOS-sxemalarga nisbatan bir necha barobar tezroq (signal ushlanib qolish vaqti 1 ns dan kamroq), deyarli qizimaydigan (issiqlik ajralishi {\displaystyle 10^{-17}}J tartibida) va ionizatsiyalovchi nurlanish taʼsiriga chidamli boʻlgan mantiqiy sxemalar.