Фани бўйича мустақил иш мавзу: Бир турдаги мдя транзисторлар асосидаги манти

ЎЗБЕКИСТОН РЕСПУБЛИКАСИ АХБОРОТ ТЕХНОЛОГИЯЛАРИ ВА КОММУНИКАЦИЯЛАРИНИ РИВОЖЛАНТИРИШ ВАЗИРЛИГИ

МУҲАММАД АЛ-ХОРАЗМИЙ НОМИДАГИ

Тошкент ахборот технологиялари университети НУКУС ФИЛИАЛИ
ЕЛЕКТРОНИКА ВА СХЕМАЛАР 2
ФАНИ БЎЙИЧА


МУСТАҚИЛ ИШ


Мавзу: Бир турдаги МДЯ транзисторлар асосидаги мантиқ элементлари

Таярлады: 2-курс КИ йўналиши (сиртқи) талабаси Д.Саъдуллаев Қабул қилди: C.Кенгесбаев

Нукус – 2022 йил
МУНДАРИЖА
Кириш …………………………………………………………………………... 3
§1. МДЯ хакида………………………..…………………………………..…… 4
§2. МДЯ схемалари…………………………………………………………..... 5
§3. МДЯ тузилма елементлари тезкорлиги.............................................….. 7
Хулоса………………………………………………………………………… .. 8
Адабиётлар рўйхати………………………………………………………….. 9

Кириш
Ахборотни қайта ишлаш ва сақлаш вазифаларини бажарувчи замонавий микроэлектрон аппаратларда турли интеграция даражасига эга бўлган ИМС лар ишлатилади. Айниқса, КИС ва ЎКИС интеграция даражасига эга бўлган ИМС лар кенг қўлланилмоқда. ТТМ ва ЭБМ элементлари юқори тезкорликни таъминлайди, аммно истеъмол қуввати ва ўлчамлари катта бўлганлиги сабабли, фақат кичик ва ўрта интеграция даражасига эга болган ИМС лар яратишдагина қўлланилади.
1962-йилда планар технологик жараён асосида кремний оксидили (Си02) МДЯ — транзистор яратилди, кейинчалик эса унинг асосида гуруҳ усулида ишлаб чиқариш йўлга қўйилди.


§1. МДЯ хакида

Интеграл БТлардан фарқли равишда бир турдаги МДЯ интеграл транзисторларда изолатсияловчи чўнтаклар ҳосил қилиш талаб этилмайди. Шунинг учун, бир хил мураккабликка эга бўлганда, МДЯ -транзисторли ИМСлар БТларга нисбатан кристаллда кичик ўлчамларга эга ва ясалиш технологияси содда бўлади. Кремний оксидили МДЯ ИСларнинг асосий камчилиги - тезкорликнинг кичиклигидир. Яна бир камчилиги - катта истеъмол кучланиши бўлиб, у МДЯ ИСИарни БТ ИСлар билан мувофиқлаштиришни мураккаблаштиради. МДЯ ИСлар асосан унча катта бўлмаган тезкорликка эга бўлган ва кичик ток истеъмол қиладиган мантиқий схемалар ва КИСлар яратишда қўлланилади. МДЯ ИСларда энг юқори энтеграция даражасига эришилган бўлиб, бир кристаллда юз минг-лаб ва ундан кўп компонентлар жойлашиши мумкин.

МДЯ — транзисторли мантиқ (МДЯТМ) асосида юкламаси МДЯ — транзисторлар асосида яра-тилган электрон калит - инверторлар ётади. Схемада пассив элементларнинг ишлатилмаслиги, ИМСлар тайёрлаш технологиясини соддалаштиради.