F I z I k a o’quv qo’llanma

emitter va kollektor deb ataladi.  

 

27.17-rasm 

Endi 

tranzistorlarning 

elektr 

signallarini 

kuchaytirish 

prinsipi 

bilan 

tanishaylik.  Tranzistorda  ikki  р-n-  o‘tish  mavjud.  Birinchi  p-n-  o‘tish  emitter  va 

baza  o‘rtasida,  ikkinchisi  baza  va  kollektor  o‘rtasida  shuning  uchun  tranzistorni 

ikki  bir  –  biriga  qarama-qarshi  ulangan  р-n-  diodlardan  tashkil  topgan  deyish 

mumkin.  Ulanishda  kirish  diodiga  to’g’ri  kuchlanish,  chiqish  diodiga  teskari 

kuchlanish  berilgan.  Teskari  kuchlanishning  qiymati  to’g’ri  kuchlanishning 

qiymatiga  qaraganda  bir  necha  marta  katta.  To’g’ri  kuchlanish  ta’sirida  birinchi р-

n-  o‘tish  orqali  emitterdan  baza  tomon  asosiy  tok  oqadi.  Bu  tokni,  odatda emitter 

toki  deyiladi.  Emitterda  asosiy  zaryad  tashuvchilar  –  teshiklardir.  Teshiklar  bazaga 

o‘tgach,  qisman  bazadagi  asosiy  zaryad  tashuvchilar  –  elektronlar  bilan 

rekombinatsiyalashadi.  Odatda  tranzistor  yasash  vaqtida  bazadagi  aralashma 

atomlari  emitterdagi  aralashma  atomlaridan  taxminan  bir  necha  yuz  marta  kam 

qilib  olinadi.  Demak,  emitterdagi  teshiklar  soni  ham  bazadagi  elektronlar  sonidan 

bir  necha  yuz  marta  ko‘p  bo‘ladi.  Shunin  uchun  emitterdan  bazaga  o‘tgan 

teshiklarning  taxminan  bir  protsenticha  qismi  bazadagi  elektronlar  bilan 

rekombinatsiyalashadi.  Teshiklarning  qolgan  asosiy  qismi  tranzistordagi  ikkinsi  р-

n-  o‘tish  orqali  hech  qanday  qarshilikga  uchramay,  bazadan  kollektorga  o‘tadi. 

O‘aqiqatdan,  ikkinchi  р-n-  o‘tishga  teskari  kuchlanish  berilgan.  Bu  kuchlanish 

---

 

442 

ta’sirida  р-n-  o‘tish  orqali  asosiy  bo‘lmagan  zaryad  tashuvchilargina  o‘tadi. 

Ko‘rilayotgan  holda  baza  vazifasini  n- tip yarim o‘tkazgich bajarayapti. Boshqacha 

aytganda,  bazadagi  asosiy  zaryad  tashuvchilar  —  elektronlar,  asosiy  bo‘lmagan 

zaryad  tashuvchilar  esa  —  teshiklardir.  Shuning  uchun  bazadagi  teshiklar  teskari 

kuchlanish  ta’sirida  bazadan  kollektorga  o‘tib,  kollektor  tokini  tashkil  etadi. 

Yuqoridagi  mulohozalarga  asoslanib,  kollektor  kollektor  toki  emitter  tokiga 

taxminan  teng, deb xulosa qilish mumkin.   

Agar  tranzistorning  emitter  zanjiridagi  kuchlanish  biror  qonuniyat  asosida 

o‘zgarib  tursa,  unga  monant  ravishda  emitter  tokining  qiymati  ham  o‘zgaradi. 

Emitter  tokining  o‘zgarishi  esa  kollektor  tokining  o‘zgarishiga  sabab  bo‘ladi. 

Kollektor  zanjirdagi  nagruzka  qarshiligida  kuchlanish  tushishi  (odatda  bu 

kuchlanishning  tushishini  chiqish  kuchlanish  deyiladi)  ning  qiymati  quyidagiga 

teng bo‘ladi: 

                                                       U

chiq

=I

k

R

n                                                                

(27.17) 

 

Emitter  zanjiridagi  o‘zgaruvchi kuchlanish  esa 

                                                    U

kir

 =I

e

 R

kir                                                                  

(27.18)

 

 

 

Shaklida  yozish  mumkin.  Bunda  R

kir

.  O’zgaruvchi  kuchlanish  zanjirdagi 

(zanjirning  kirish  qismidagi  qarshilik).   

(27.17)  ning  (27.18)  ga  nisbatini  olsak,  kuchlanish  bo‘yicha  kuchaytirish 

koeffisienti  K

u

 ni topgan bo‘lamiz: 

     

кир

R

H

R

кир

R

э

I

н

R

к

I

кир

U

чик

U

u

К

                            (27.19) 

O‘orzirgi vaqtda K

U

   1000 bo‘lgan germaniy  tranzistorlari  mavjud.   

Tunnel  diodlar  deb  nomlangin  diodlarning  ishlash  prinsipini  p-n-o‘tish 

sohasidagi  potensial  to‘siqdan  elektronlarning  tunnel  effekt  tufayli  o‘tishiga 

asoslangan.  Bu  diodlar  nihoyatda  kam  quvvat  sarflaydi.  Ular  hisoblash 

mashinalarida,  uchirish  apparatlaridagi  elektron qurilmalarida  keng qo‘llaniladi.   

---

 

443