F I z I k a o’quv qo’llanma

 

 

 

 27.9  Yarim o‘tkazgichli diod va triodlar 

 

р-n-  tip  asosida  ishlaydigan  qurilmalar  haqida  fikirlashdan  oldin  р-n- 

o‘tishni  hosil  qilishning  ba’zi  bir  usullari  bilan  tanishaylik.  Yuqorida  р-n  – o‘tishni 

р-  va  n-  tipdaga  yarim  o‘tkazgichlarni  bir  biriga  tekkizish  yo‘li  bilan  hosil  qilib 

bo‘lmaydi  deb  aytgandik.  Shuning  uchun,  odatda  р-n-  o‘tishni  hosil  qilish  uchun 

quyidagi  usulllardan  foydalaniladi: 

1) 

Masalan,  n-  tipidagi  germaniy  kristalining  ustiga  indiy  kristalining 

parchasini  qo‘yib,  ularni  asta  sekin  qizdiraylik.  Indiyning  erish  temperaturasi  428 

K,  germaniyniki  esa  1215  K.  Shuning  uchun  temperatura  ortishi  natijasida  indiy 

eriydi,  sung  indiy  –  germaniy  aralashmasi  germaniy  kristallining  ichiga  bir  oz 

chuqirlikgacha  kirib  borgan  qatlam  tashkil  etadi.  Asta-sekin  sovitish  natajasida  bu 

qatlam  ham  kristallanadi.  Lekin  u  р-  tip  kristalldair.  Demak,  yuqoridagi  protsess 

natijasida  germaniydan  iborat  qatlam  vujudga  keladi. Ular oralig’ida esa  р-n- o‘tish 

vujudga  keladi.   

2) 

Biror  idishga,  masalan  n  –tip  yarim  o‘tkazgich  va  ushbu  yarim 

o‘tkazgichda  р-  tip  o‘tkazuvchanlikga  sabab  bo‘ladigin  aralashma  solaylik. 

Idishning  havosini  so’rib  olib,  uni  biror  inert  gaz  bilan  to‘ldiramiz  va  idishni 

germetik  ravishda  berkitamiz.  Јizdirish  natijasida  aralashma  atomlari  buQlanadi  va 

diffuziya  hodisasi  natijasida  yarim  o‘tkazgich  ichiga  kirib  boradi.  Aralashma 

atomlari  kirib  borgan  qatlam  р-  tip  yarim  o‘tkazgichga  aylanadi.  Natijada  yarim 

o‘tkazgich  sirtidan  unchalik  chuqur  bo‘lmagan  masofada  р-n-  o‘tish  vujudga 

keladi.   

Biz  yuqorida  bayon  etgan  р-n-  o‘tishni  hosil  qilish  usullaridan  tashqari  ancha 

murakkab texnologiyali  usullar  ham mavjud.   

---

 

440 

Endi  yarim  o‘tkazgichli  qurilmaning  ishlash  prinsipi  bilan  tanishaylik.  Oldingi 

paragrafda  tanishib  o‘tganimizdek,  р-n-  o‘tish orqali tok asosan bir xil yo‘nalishda 

oqar  edi.  р-n-  o‘tishning  bu  xususiyatidan  o‘zgaruvchan  tokni  to’g’irrlash 

maqsadida  foydalanish  mumkin.  O‘aqiqatdan,  р-n-  o‘tishga  sinusoidal  qonun 

bo‘yicha  o‘zgaruvchi  kuchlanish  qo‘yilgan  bo‘lsin.  Toq  yarim  davridagi 

kuchlanish  ayni  р-n-  o‘tish  uchun  to’g’ri  kuchlanish  bo‘lsa,  juft  yarim  davridagisi 

esa  teskari  kuchlanish  bo‘ladi.  Ko‘pincha  yarim  o‘tkazgichli  diodlardan  iborat 

to‘g’irlagachlarning  ko‘prik sxemalaridan  keng foydalaniladi. 

 

27.16-rasm 

 Bu  27.16-rasmdagi  sxemaga  asosan  to‘g’irlagichning  ishlash  prinsipi 

quyidagicha:  kuchlanishning  toq  yarim  davrida  D

1 

va  D

2

  diodlar  tok  o‘tkazadi.  D

3

 

va  D

4

  diodlar  berk  bo‘ladi.  Natijada  tok  A  nuqtadan  diod  D

1

,  nagruzka  qarshiligi 

R

N

,  diod  D

2 

orqali  V  nuqtaga  oqadi.  Kuchlanishning  juft  yarim  davrida  D

3 

D

4 

tok 

o‘tkazadi,  D

1 

va  D

2

  diodlar  esa  berk  bo‘ladi.  Bunda  tok  V  guqtadan  diod  D

4,

 

nagruzka  qarshiligi  R

N,

  diod  D

3 

orqali  A  nuqtaga  oqadi.  Demak,  toq  yarim 

davrlarda  ham,  juft  yarim  davrlarda  ham,  nagruzka  qarshiligi  orqali  o‘tuvchi 

tokning  yo‘nalishi  bir  xil  bo‘ladi.  Shuning  uchun  to’g’irlagichning  ko‘prik 

sxemasida tokning  ikkala  yarim  davrlaridan  foydalanish  imkoniyati  tug’iladi.   

p-n-  o‘tish  xususiyatlaridan  foydalanib  elektr  signallarini  kuchaytiruvchi 

qurilma-  yarim  o‘tkazgichli  triodlar  yasash  mumkin.  Odatda  bunlay  qurilmani 

tranzistor  deb  ataladi.  Tranzistorlar  uchta  yupqa  qatlamdan  tashkil  topgan  bo‘ladi. 

Bu  27.17-rasmdan  ko‘rinib  turibdiki,  tranzistordagi  chetki  qatlamlar  hamma  vaqt 

bir  xil  tipdagi  o‘tkazuvchanlikga  ega  bo‘ladi.  O’rtadagi  qatlamning 

---

 

441 

o‘tkazuvchanligi  chetki  qatlamlarnikidan  boshqacha  bo‘ladi,  ya’ni  chetki 

qatlamlarning  o‘tkazuvchanligi  р-  tip  bo‘lsa,  o‘rta  qatlamning  o‘tkazuvchanligi  n-

tip  bo‘lishi  kerak.  Tranzistorning  o‘rta  qatlami  baza  deb,  chetki  qatlamilari  esa