Emitterlari bog‘langan mantiq turlari va parametrlari Reja



Download 71,67 Kb.
bet1/4
Sana18.03.2023
Hajmi71,67 Kb.
#920191
  1   2   3   4
Bog'liq
Emitterlari bog‘langan mantiq turlari va parametrlari Reja


Emitterlari bog‘langan mantiq turlari va parametrlari


Reja: Tok qayta ulagichi haqida tushuncha
Emitterlari bog‘langan mantiq (EBM) haqida tushuncha EBM MEning ishlash mexanizmi

Emitterlari bog‘langan mantiq (EBM) elementni yaratilishiga raqamli qurilmalar tezkorligini oshirish muammosi sabab bo‘lgan. EBM elementda qayta ulanuvchi tranzistor yoki berk, yoki ochiq bo‘ladi va bazada qo‘shimcha noasosiy zaryad tashuvchilar to‘planayotganda BT to‘yinish rejimida ishlaydi. Tranzistorni bir holatdan ikkinchisiga o‘tishi uzoq kechadigan jarayon bo‘lganligi sababli, TTM element tezkorligi cheklangan. BTdagi kalit inersiyaliligini kamaytirish maqsadida shunday sxemalar yaratish kerakki, unda qayta ulanuvchi tranzistor ochiq holatda aktiv rejimda ishlasin.


EBM shunday sxematexnik echimlardan biri hisoblanadi. BTning to‘yinmagan rejimi yuklama va parazit sig‘imlarni tez qayta zaryadlanishi uchun talab qilinadigan ishchi toklarni oshirish imkonini beradi. Qayta ulanuvchi element ulanish vaqti minimumga keladi. Bu vaqtda BTning berkilish vaqti ortmaydi. SHu sababli EBM elementlar yuqori tezkorlikka ega.
EBM element asosini tok qayta ulagichi tashkil etadi (12.1 – rasm).
U DK kabi ikkita simmetrik elkadan tashkil topgan bo‘lib, ularning har biri tranzistor va rezistordan iborat. Umumiy emitter zanjirida BTG I0 ishlaydi.





    1. – rasm. Tok qayta ulagichi.

DKdan farqli ravishda kirishlardan biri (VT2) tayanch deb ataluvchi doimiy kuchlanish manbai U0 ga ulangan. Tok I0 qiymati tranzistorning aktiv ish rejimiga mos keladi va EBM negiz elementlarida I0 = 0,5÷2 mA. BTG mavjudligi tufayli baza potensiallarining ixtiyoriy qiymatlarida emitter o‘tishlarda avtomatik ravishda



IЭ1 IЭ 2
I0
(12.1)

shart o‘rnatiladi.
Aktiv rejimda emitter tokining baza – emitter kuchlanishiga bog‘liqligi kirishdagi VT1 tranzistor uchun quyidagi ifoda bilan approksimatsiyalanadi



IЭ1
(UКИРUЭ ) /T

е

I
Э 01
, (12.2)


VT2 tranzistor uchun esa


IЭ 2

(U0 UЭ ) /T



I е
Э02

. (12.3)


Bu ifodalarda emitter tokining UEB =0 va UKB ≠0 bo‘lgandagi qoldiq qiymati IE0. Integral texnologiyada egizaklik prinsipiga muvofiq IE01 = IE02. Xona



temperaturasida T
kT / q 0,025 V.

(12.1), (12.2) va (12.3)lardan foydalanib,



IЭ1
I0

0

T
U (1UКИР ) /
, IЭ 2

Download 71,67 Kb.

Do'stlaringiz bilan baham:
  1   2   3   4




Ma'lumotlar bazasi mualliflik huquqi bilan himoyalangan ©hozir.org 2024
ma'muriyatiga murojaat qiling

kiriting | ro'yxatdan o'tish
    Bosh sahifa
юртда тантана
Боғда битган
Бугун юртда
Эшитганлар жилманглар
Эшитмадим деманглар
битган бодомлар
Yangiariq tumani
qitish marakazi
Raqamli texnologiyalar
ilishida muhokamadan
tasdiqqa tavsiya
tavsiya etilgan
iqtisodiyot kafedrasi
steiermarkischen landesregierung
asarlaringizni yuboring
o'zingizning asarlaringizni
Iltimos faqat
faqat o'zingizning
steierm rkischen
landesregierung fachabteilung
rkischen landesregierung
hamshira loyihasi
loyihasi mavsum
faolyatining oqibatlari
asosiy adabiyotlar
fakulteti ahborot
ahborot havfsizligi
havfsizligi kafedrasi
fanidan bo’yicha
fakulteti iqtisodiyot
boshqaruv fakulteti
chiqarishda boshqaruv
ishlab chiqarishda
iqtisodiyot fakultet
multiservis tarmoqlari
fanidan asosiy
Uzbek fanidan
mavzulari potok
asosidagi multiservis
'aliyyil a'ziym
billahil 'aliyyil
illaa billahil
quvvata illaa
falah' deganida
Kompyuter savodxonligi
bo’yicha mustaqil
'alal falah'
Hayya 'alal
'alas soloh
Hayya 'alas
mavsum boyicha


yuklab olish