Электростатика

электронике - акустоэлектро-
нику; 
1968 г. - в ИРЭ АН СССР и США открыт эффект чисто 
сдвиговых поверхностных акустических волн, которые не обла-
дают дисперсией - волны Гуляева - Блюкштейна; открытие Гу-
ляевым Ю.В. акустомагнитоэлектрического эффекта, открытие 
поперечного акустоэлектрического эффекта. Все эти работы в 
России и за рубежом позволили сформировать новое научное 
направление - акустоэлектронику и промышленное производст-
во акустоэлектронных изделий; 
1963 г. американский физик Дж. Б. Ганн обнаружил токо-
вые неустойчивости в виде электрических доменов в образцах 
арсенида галлия (GaAs) и антимонида индия (InSb) с электрон-
ной проводимостью. 1966 г. коммерческие диоды Ганна (фирма 
InternationalSemiconductorInc.
) – первые СВЧ полупроводнико-
вые приборы; 

---

8 
1969 г. исследователи фирмы 
BellLaboratories
обнаружи-
ли в магнитной пленке цилиндрические магнитные домены (но-
вая электронная память); 
1970 г. - фирма
Bell Laboratories
БойлВ.С., СмитДж. Е раз-
работали приборы с зарядовой связью. 
Исследователям стало ясно, что помимо традиционных 
носителей информационного сигнала, таких, как свободные 
электроны в вакууме, твердом теле, ионы в плазме, связанные 
электроны в средах различного агрегатного состояния, сущест-
вуют и другие, неявно связанные с электронами. К таким носи-
телям можно отнести различного типа волны в различных сре-
дах, домены, квазичастицы, зарядовые пакеты электронов и т. п. 
Эти носители получили название 
динамические неоднородно-
сти.
 
Целями преподавания дисциплины «Функциональная 
электроника» являются изучение студентами физических основ 
функциональной электроники; основных физических процес-
сов, лежащих в основе действия приборов функциональной
электроники; конструкции, параметров, характеристики и об-
ласти применения приборов и устройств функциональной
электроники. 
Данное учебное пособие написано на основе курса лекций 
по дисциплине «Функциональная электроника», читаемого сту-
дентам Воронежского государственного технического универ-
ситета, и полностью соответствует требованиям Федерального 
государственного образовательного стандарта высшего профес-
сионального образования по направлению подготовки бакалав-
ров 210100 «Электроника и наноэлектроника» (профиль «Мик-
роэлектроника и твердотельная электроника»), дисциплине 
«Функциональная электроника». 

---

9