Elektroradio ashyolar va tibbiyot texnikasini

10.29-rasm. Mustaqil  qo‘zg‘atishli ikki  taktli  o‘zgartirgichning
 vaqt  diagrammalari.
a
U
q
U
b1
U
b2
b
d
e
f
g
t
t
t
t
t
t
U
T
p
U
2
U
0

---

240
tranzistori  orqali  teskari  yo‘nalishda  tok  o‘tishiga,  ya’ni  teskari
tokning vujudga kelishiga olib keladi.
Tranzistor  orqali  oqib  o‘tadigan  teskari  tok  impulsi  o‘z
yo‘nalishini  o‘zgartirmagan  yuklama  toki  transformatorning
boshqa  birlamchi  chulg‘amiga  va  kuch  tranzistoriga  transfor-
matsiyalanadi.  Invers  rejimda  ishlayotgan  tranzistorning  tok
bo‘yicha kuchaytirish koeffitsiyenti kichik bo‘ladi. Bunday kollek-
tor  tokida  tranzistor  to‘yinish  rejimidan  chiqib  ketishi  mumkin,
bu  kuch  zanjiridagi  qo‘shimcha  quvvat  isroflariga  va  tranzis-
torning kuyishiga olib kelishi mumkin.
Kuch tranzistori orqali oqib o‘tadigan teskari tokni kamay-
tirish  uchun  invertor  sxemasida  kuch  tranzistorlariga  parallel
ravishda  shuntlovchi  VD1  va  VD2  diodlar  ulanadi.  Bunday
diodlar  agar  invertor  salt ishlaganida  ishlay  olsa  ham,  yuklama
ravishda  qo‘yilishi  mumkin.  Bunda  induktiv  tok  hisoblangan
VT1  transformatorning  magnitlash  toki  yarim  davrining  bir
qismi davomida teskari yo‘nalishda oqib o‘tadi. Ba’zida shuntlov-
chi  diodlar  yo‘qligida  bunday  magnitlovchi  tok  kuch  tranzis-
torlarining ishdan chiqishiga olib kelishi mumkin.
Tranzistorlarning  kommutatsiyalanishini  osonlashtirish  maq-
sadida  to‘g‘rilagich  tarkibiga  qo‘shimcha  zaryadsizlash  diodi
kiritiladi (10.28-rasm).  Avval ochiq  bo‘lgan diodning  yopilishi-
dan  so‘ng  chiqishdagi  kuchlanish  sakrash  orqali  o‘z  qutbini
o‘zgartiradi va  bu qutb o‘zgarishiga so‘nuvchi  yuqori chastotali
tebranishlar  sabab  bo‘ladi  (10.30-rasm).
Bu  tebranishlar  transformator  induktiv  tarqalishining  qayta
zaryadlanishi, o‘ramlararo sig‘im va montaj sig‘imlari oqibatida
vujudga keladi. Katta quvvatli o‘zgartirgichlarda ular radioxala-
qitlarning intensiv manbayi hisoblanadi. Shuning uchun ba’zida
yuklamasi  induktiv  elementdan  boshlanuvchi  o‘zgartirgichlar-
dan foydalanmaslikka majbur qiladi.

---

241
Mustaqil  qo‘zg‘atishli  invertorlar  tranzistorlarining  kollek-
tor  toklarining  keskin  ortib  ketishi  ham  yuqori  chastotali  xala-
qitlarni  keltirib  chiqaradi.  Bundan  tashqari  ular  tranzistorlar-
ning  ortiqcha  yuklanishiga  sabab  bo‘ladi.  Bunday  kamchi-
liklardan  qutulishning  faqat  yagona  usuli,  birinchi  tranzistor
ochilishini ikkinchi tranzistorning yopilishigacha kechiktirishdir.
Bu  shart  invertor  tranzistorlarini  nosimmetrik  impulslar  yoki
nolli  uzilish  impulslari  bilan  boshqarilganda  bajariladi.  Bu  har
ikkala  usul  qo‘zg‘atkich  sxemasini  qurishda  o‘zaro  bog‘liq
bo‘lgan  qiyinchiliklarga  ega  va  to‘g‘rilagich  yuklamasi  o‘zga-
ruvchan  bo‘lganda  yaxshi  natijalarni  bermaydi.  Tranzistorning
uzilish  vaqti  kollektor  tokiga  bog‘liq,  shuning  uchun  ulanishni
kechiktirish  invertor  yuklamasining  o‘zgarishiga  mos  almashi-
shi  kerak.
Qaytar  toklardan  tuzatish  sxemasi  bilan  bog‘langan  invertor
sxemasi bu kamchiliklardan xolidir (10.31-rasm).
Undagi  invertor  transformatorining  qo‘shimcha  W
2
  chul-
g‘amlaridan  olinadigan  kuchlanish  tranzistorlar  ochilishini
10.30-rasm. So‘nuvchi yuqori chastotali tebranishlarning
paydo bo‘lishi.
U
T
1
T
2
T

---

242
kechiktirish  uchun  xizmat  qiladi.  U  chiqish  kuchlanishining
qutbi  o‘zgarmaguncha  yopiq  bo‘lgan  tranzistorning  ochilishini
ushlab  turishga  imkon  beradi.  Shuning  uchun  faqat  bir  yelka
tranzistori  yopilgandan  keyingina,  ikkinchi  yelka  tranzistori
bazasiga ochuvchi kuchlanish keladi. Tranzistor uzilganda baza
zanjiridagi  diod  yopiladi  va  W
2
  qo‘shimcha  chulg‘amlardan
olinadigan  yopuvchi  kuchlanish  bazaga  kelmaydi.  Bunday
invertor  sxemasida  kollektor  toki  impulslarida  keskin  ortish
bo‘lmaydi,  chiqish  kuchlanishi  esa  nolli  uzilishlarsiz  bo‘ladi.
Kommutatsion  jarayonlar ularda  deyarli  bo‘lmaydi.
10.31-rasmda  keltirilgan  invertor  kuch  zanjiri  T1  transfor-
matordan  VT1  va  VT2  tranzistorlardan,  VD1  va  VD2  diodlar-
dan  iborat.  Invertorni ng   yuklamasi  transformatorni ng
ikkilamchi  chulg‘amidagi  L1  induktiv  element  va  R
Y
  rezistor
hisoblanadi.  Tranzistorlar  nolli  pauzalarsiz  to‘g‘ri  burchakli
10.31-rasm.  Qaytar  toklardan  tuzatish  sxemasi  bilan  bog‘langan
invertorli o‘zgartirgichning sxemasi.
R1
VD1
VT1
U
kir
T1
U
qo‘z
T2
VT2
VD2
R2
VD3
L1
VD4
C1
U
2
U
1

---

243
impulslar  orqali  kommutatsiyalanadi.  Bu  impulslar  qo‘zg‘at-
gichdan  tranzistor  bazalariga  R1  va  R2  rezistorlar  orqali
beriladi. Shuningdek, bu rezistorlar  to‘yingan tranzistorlar baza
toklarini cheklaydi. Avval aytib o‘tilganidek, bunday qo‘zg‘atish
kuch zanjirida qisqa vaqtli qisqa tutashuvlarni vujudga keltiradi.
Bu  vaqtlarda  har  ikkala  tranzistorlar  ochiq  bo‘ladi  va  ularda
transformatorning  birlamchi  chulg‘amlarida  kommutatsion
toklar  keskin  ortadi.  VT1  va  VT2  tranzistorlar  kommutatsion
toklari transformatorning birlamchi chulg‘amlari o‘rta nuqtasidan
U
kir
  ta’minot  manbayining  minus  qutbiga  oqib  o‘tadi,  ya’ni
transformatorning  ikkilamchi  chulg‘amiga  transformatsiya-
lanmaydi  va  shuning  uchun  bu  toklar  qaytar  toklar  deyiladi.
Kommutatsiya  jarayonini  yaxshilash  maqsadida  invertor
sxemasiga  qo‘shimcha  ravishda  qaytar  toklardan  qutulish  sxe-
masi (QTQS) kiritiladi (10.32-rasm). U ikkita kirishga (11 va 21)
10.32-rasm. Kommutatsion xususiyatlari  yaxshilangan invertorli
o‘zgartirgich  sxemasi.
R1
12
11
QTQC
21
22
R2
VT2
VD2
U
kir
VD1
T2
VT1
L1
R
y
C1
U
2

---

244
va  ikkita  chiqishga  (12  va  22)  ega.  VT1  tranzistorning  yopiq
holatiga  mos  keladigan  invers  chiqish  kuchlanishining  qutbiga
sxemaning 12 ochiq va VT1 tranzistorning emitter-baza o‘tishini
shuntlaydi  va  qo‘zg‘atish  zanjirini  VT1  tranzistorni  ochishiga
VT2 tranzistor yopilmaguncha va chiqish kuchlanishining qutbi
o‘zgarmaguncha, ya’ni sxemaning 21 kirishida musbat potensial
bo‘lmaguncha yo‘l qo‘yilmaydi.
10.33-rasmda tasvirlangan o‘zgartirgich invertorining qaytar
toklardan qutulish sxemasida uchta DD1, DD2 va DD3 manti-
qiy  elementlardan  foydalanilgan.  DD1  mikrosxema  trigger
bo‘lib, chiqishda (1 va 2 chiqishlar) o‘zaro faza bo‘yicha 180° ga
surilgan  musbat  impulslar  ketma-ketligini  shakllantiradi.  Bu
impulslar  ketma-ketligi  VT1  va  VT2  tranzistorlarning  ochilishi
10.33-rasm. Boshqarish sxemasida mantiqiy elementlardan
foydalanilgan kommutatsion xususiyatlari yaxshilangan
invertorli o‘zgartirgich sxemasi.
DD1
U
qo‘z
C
T
DD2
R3
R5
R7
VT3
VT1
1
R1
R2
DD3
VT2
U
kir
T2
U
2
R8
VT4
R4
R6
U
qo‘sh

---

245
uchun  zarur  bo‘ladigan  impulslarni  shakllantirish  uchun  xiz-
mat  qiladi.  Bunda  DD2  va  DD3  mikrosxemalar  (moslashtirish
sxemasi) ham ishtirok etadi. Ularning birinchi kirishlariga beril-
gan  impulslar,  ikkinchi  kirishlarida  musbat  potensial  bo‘lma-
guncha, ularning chiqishlariga o‘tmaydi (musbat potensial avval
ochiq  bo‘lgan  tranzistor  yopilgandan  keyingina  paydo  bo‘ladi).
Shu tarzda R7 va R8 rezistorlar orqali qarama-qarshi yelkaning
kuch  tranzistori  kollektori  bilan  ikkinchi  kirishlarning  aloqasi
ta’minlanadi.