Elektronika va sxemalar 2 Labaratoriya ishi №7

Muhammad Al-Xorazmiy nomidagi Toshkent axborot texnologiyalari universiteti



Fan nomi: Elektronika va sxemalar 2



Labaratoriya ishi №7

Mavzu: Эмиттер қайтаргич схемасини тадқиқ этиш



Guruh:CAE014-L2

Bajardi: Fayziyev Farrux

Tekshirdi: Abdullayev Abdubakir

Toshkent -2020

7- ЛАБОРАТОИЯ ИШИ бўйича ҳисобот

Эмиттер қайтаргич схемасини тадқиқ этиш

Ишдан мақсад: Биполяр транзисторда ясалган эмиттер қайтаргич схемасини тадқиқ қилиш, NI Multisim дастурий миҳити ёрдамида дифференциал параметрларини ўлчаш, динамик характеристикаларини таҳлил қилиш.


7.1 – расм. Эмиттер қайтаргич схемаси


Схеманинг NI-Multisim дастурий муҳитида йиғилган ҳолати

Берилган параметрлар:

Эмиттер қайтаргич схемасини тадқиқ этишда NI Multisim датурий муҳитида фойдаланилиш тавсия этиладиган транзисторлар: BC847C, BC547А.

7.1- жадвал

Талаба т/р	1	2	3	4	5	6	8	7	9	10	11	12
А	0,6	0,5	0,3	0,5	0,3	0,6	0,4	0,3	0,7	0,4	0,3	0,5
RЭ(Ом)	1000	510	1000	620	750	820	1000	910	820	750	820	820
IК(мА)	1	1,8	2	3	3,5	2	3	2,5	1,5	1	3	2
E2(В)	14	13	15	16	14	15	15	14,5	14	15	15	13

Вариант № 5.

Дастлабки ҳисоблашлар.

Е1 – кучланиш билан бошқарилувчи ўзгармас манбаа қийматини хисоблаш:

𝐸1 = 𝐸0(1 + 𝐴 sin(𝜔𝑡)); E₀=3.29

𝐸10 = 3.29 (1 + 0,3 sin( )) = 3.29;

𝐸11 = 3.29 (1 + 0.3 sin(3 )) = 3.7835;

𝐸12 = 3.29 (1 + 0,3 sin(6 )) = 4.144;

𝐸13 = 3.29 (1 + 0,3 sin(9 )) = 4.277 ;

𝐸14 = 3.29 (1 + 0,3 sin(12 )) =4.144;

𝐸15 = 3.29 (1 + 0,3 sin(15 )) = 3.7835;

𝐸16 = 3.29 (1 + 0,3 sin(18 )) = 3.29;

𝐸17 = 3.29 (1 + 0,3 sin(21 )) = 2.7965;

𝐸18 = 3.29 (1 + 0,3 sin(24 )) = 2.435;

𝐸19 = 3.29 (1 + 0,3 sin(27 )) =2.303;

𝐸110 =3.29 (1 + 0,3 sin(30 )) = 2.435;

𝐸111 = 3.29 (1 + 0,3 sin(33 )) = 2.7965;

𝐸112 = 3.29 (1 + 0,3 sin(36 )) = 3.29.

7.2- жадвал

𝜔𝑡, 𝑔𝑟𝑎𝑑	0	30	60	90	120	150	180	210	240	270	300	330	360
𝐸1(𝜔𝑡), 𝑉	3.29	3.7835	4.144	4.277	4.144	3.7835	3.29	2.7965	2.435	2.303	2.435	2.7965	3.29
𝐼б(𝜔𝑡), mk𝐴	6.661	7.994	8.882	7.994	8.882	7.994	6.661	5.773	4.441	3.997	4.441	5.773	6.661
𝐼к(𝜔𝑡), m𝐴	3.5	4.151	4.629	4.805	4.629	4.151	3.5	2.853	2.38	2.206	2.38	2.853	3.5
𝑈э(𝜔𝑡), 𝑉	2.631	3.119	3.476	3.608	3.476	3.119	2.631	2.143	1.787	1.657	1.787	2.143	2.631

Олинган натижаларга ишлов бериш.

– Кучланиш бўйича кучайтириш коэффициенти:

𝐾𝑈 = = = = = 1,011
бунда, 𝑈б.кир = Е1.
– Ток бўйича кучайтириш коэффициенти:
𝐾I = = = = =532.03

– Қувват бўйича кучайтириш коэффициенти:

𝐾𝑃 = 𝐾𝑈 × 𝐾𝐼 = 1,011 * 532.03= 537.88

– Динамик кириш қаршилиги:

𝑅дин.кир = = = = = 404.09 кОм
бунда, 𝑈б.кир = Е1.
– Динамик чиқиш қаршилиги:
𝑅дин.кир = = = = 0.75 Ом

Олинган натижалар асосида қуйидаги графикларни чизинг:
1. 𝑬𝟏 = 𝒇(𝝎𝒕);
2. 𝑰б = 𝒇(𝝎𝒕);
3. 𝑰к = 𝒇(𝝎𝒕);
4. 𝑼э = 𝒇(𝝎𝒕).










ХУЛОСА

Мен ушбу лабаратория машғулотини ўзимга белгиланган вариантга мос келувчи( Вариант № 5 ) параметерлардан фойдаланиб бажардим.Ушбу лабаратория машғилотини виртуал схемасини NI Multsim 13.0 дастури ёрдамида йиғиб чиқдим ва ўлчаб топилиши керак бўлган параметрларни ўлчаб топдим . Лабаратория мащгулоти давомида BC847C транзисторидан фойдаландим. Олинган натижалар асосида хисоб китоб килиб кучланиш, ток ва кувват буйича кучайтириш коеффицентларини топдим. Динамик кириш ва чикиш каршиликларини хисобладим. Ушбу олинган қийматлардан фойдаланиб параметрларни бир-бирига боғлиқлик графикларини Microsoft Excel ёрдамида чиздим.