Электроника ва схемалар 2 фани, мазмуни ва усуллари

ИМСлар ва уларнинг яратилиш тарихи

• Микроэлектроника техногиясининг асосий масалалари қуйидагилар:

- минимал ҳажмда, кам энергия талаб, юқори ишончлиликка эга ва маълумотларни барқарор қайта ишловчи ИСларнинг максимал сондаги элементларини ҳосил қилишдан иборат.

• Фақатгина технологик жараённи максимал автоматлаштириш микроэлектрониканинг ривожини таъминлайди.
• Ҳозирги пайтда микроэлектроника ўзининг ривожланиш босқичига эришган, эндиликда соҳани янада ривожлантириш, қўйилаётган замонавий масалаларни ҳал қилиш учун наноэлектроника соҳаси вжудга кемоқда.

2.Интеграл схемалар фаол элементлари ва уларни тайёрлаш техналогияси

• Яримўтказгичли интеграл микросхеманинг асосини n-р-n турдаги биқутбий транзистор ташкил қилади.
• Биқутбий транзисторлар тайёрлашда асосан диффузион технология қўлланилади.
• Транзисторлар тайёрлашда энг кенг қўлланилаётгани планар технология усули ҳисобланади.
• Бу усулда интеграл транзисторлар компоненталари ягона технологик жараёнда яримўтказгичли пластинканинг бир сиртига тайёрланади.
• Планар технология орқали интеграл транзисторларни тайёрлаш усули қуйидагича: биринчи навбатда механик ва кимёвий ишлов берилгандан сўнг, кремний пластинаси сиртига кремний икки оксиди (SiO2) 0.1-1мкм қалинликда ҳосил қилинади.

2.Интеграл транзисторлар ва уларни тайёрлаш технологияси

• Бунинг учун, температураси 800-10000С бўлган кислородли муҳитда Si пластинаси оксидланади.
• Кремний сиртидаги ҳосил бўлган SiO2нинг керакли жойларидан оптик литография услуби билан махсус тирқичлар очилади.
• Очилган тирқич соҳасига киритмаларни диффузия қилиш орқали транзисторнинг коллектори ясалади.
• Si пластинасининг бошланғич ўтказувчанлик турига боғлиқ равишда легирловчи киритма сифатида бор, фосфор ёки сурьма ишлатилади.

2.Интеграл транзисторлар ва уларни тайёрлаш технологияси

• Таглик сифатида n-ёки p-тур ўтказувчанликка эга бўлган Si пластинкалари ёки эпикасиал қатламли Si пластинаси ишлатилади.
• Кейинги ҳолда қалинлиги 250-300 мкм бўлган р-тур Si пластинасида қалинлиги 15-20 мкм, солиштирма қаршилиги 0.5-1 Ом.см бўлган юпқа n-турли эпитаксиал қатлам ҳосил қилинади. Бу эпитаксиал қатлам транзисторнинг коллектор соҳаси вазифасини бажаради.
• Кейинги технологик жараёнларда пластина сиртида яна SiO2 қатлам ҳосил қилинади, унга ёруғлик резисти ётқазилиб, кейин кристаллга тирқичлар очилади ва диффузия услуби билан транзистор эмиттер ва база соҳалари ҳосил қилинади.