Электроника ва схемалар 2 фани, мазмуни ва усуллари

Интегральные диоды

Интегральные диоды

• Параметры интегральных диодов:
• 1. Напряжение пробоя диода Uпр, В;
• 2. Величина обратного тока Iобр, нА;
• 3. Емкость диода (барьерная емкость используемого p-n перехода), пФ;
• 4.Время восстановления обратного тока t, нс.
• В соединении база-эмиттер и коллектор-база транзистора служит анодом диода с эмиттером. Коллектор транзистора используется как катод.

3. Пассивные элементы ИМС

• Резисторы интегральной схемы представляют собой тонкий слой полупроводника, который формируется в нужных частях кристалла путем создания диффузионного p-n перехода.
• Такие резисторы называются диффузионными резисторами.
• Основные параметры диффузионных резисторов:
• 1. Номинальное сопротивление резистора, Ом;
• 2. Температурный коэффициет резистора, Ом/град.;
• 3. Максимальная мощность (Rmax), Вт;
• 4. Максимальный ток (Imax), А;
• 5. Максимальное напряжение (Umax), В.

Резисторы в интегральных микросхемах

.

Интегральный конденсаторлар

• В качестве интегральных конденсаторов можно использовать барьерную емкость p-n перехода. Эта емкость представляет собой емкость, образующуюся при приложении обратного напряжения к p-n переходу.
• Возможно также использование емкости структур металл-диэлектрик-полупроводник.
• С помощью барьерной емкости r-n перехода изготавливаются интегральные конденсаторы из любого p-n перехода транзистора, входящего в состав интегральной схемы.
• Это делается на основе переходов база-эмиттер или база-коллектор.
• Основные параметры интегральных конденсаторов:
• 1. Удельная емкость, т.е. единица, соответствующая поверхности
• значение пропускной способности, Ф/м2;
• 2. Максимально возможное напряжение, В;
• 3. Температурный коэффициент емкости, Ф/град;
• 4. Добротность