Электроника ва радиотехника кафедраси

Дарлингтон жуфтлиги Таркибий транзистор

Download 331,5 Kb.

1 2 3 4 5 6

Bog'liq
4-M

Таркибий транзисторда натижавий ток узатиш коэффициенти алоҳида транзисторлар ток узатиш коэффициентларининг кўпайтмасига тенг. Агар β1 ва β2 лар бир хил қийматга эга бўлса, масалан, 100 га, ҳисоблаб топилган коэффициент β= β1 ∙β2=104 бўлади. Лекин бир хил VT1 ва VT2 ларда β1 ва β2 коэффициентлар IК1 ва IК2 коллектор токлари бир хил бўлгандагина бир-бирига тенг бўлади. IЭ1>>IБ1=IЭ2 бўлгани учун IК2 >> IК1. Шунинг учун β1<< β2 ва β= β1 ∙β2 амалда бир неча мингдан ошмайди.

Таркибий транзисторлар турли ўтказувчанликка эга бўлган транзисторлар асосида ҳам ҳосил қилиниши мумкин. Бундай тузилмалар қўшимча симметрияга эга бўлган таркибий транзисторлар деб аталади.
Бунда кириш транзистори сифатида p-n-p ўтказувчанликка эга транзистор, чиқиш транзистори сифатида эса n-p-n ўтказувчан-ликка эга транзистор ишлатилади. Натижавий токлар йўналишлари, расмдан кўринишича, p-n-p транзисторнинг токлари йўналишига мос келади. Ток узатиш коэффициенти β= β1+ β1∙β2 га тенг бўлади ва амалда Дарлингтон транзисторининг β сига тенг бўлади.

Принципда таркибий транзистор майдоний ва биполяр транзисторлар асосида ҳосил қилиниши мумкин. б-расмда n – канали p-n ўтиш билан бошқарилувчи МТ ва n-p-n тузилмали БТ асосида ҳосил қилинган таркибий транзистор схемаси келтирилган. Ушбу схема майдоний ва биполяр транзисторларнинг хусусиятларини ўзида мужассамлаштирган – бу жуда катта кириш қаршилигига ва ток бўйича, демак, қувват бўйича ҳам жуда катта кучайтириш коэффициентига эгалигидан иборат.

Улар температура ва кучланиш манбаи қийматлари ўзгаришига нисбатан юқори барқарорликка эга.

Download 331,5 Kb.

Do'stlaringiz bilan baham:

1 2 3 4 5 6