Электроника ва радиотехника кафедраси

Идеал БТГ ВАХи (1- расм)

Энг содда БТГ схемаси 2-расмда кўрсатилган. Схемада I1 ток занжирига тўғри силжитилган диод уланишли, таянч транзистор деб аталувчи VT1 транзистор уланган. У жуда кичик қаршиликка эга. Шунинг учун VT1 кучланиш генератори вазифасини ўтайди. У RЮ бошқарилувчи занжир билан кетма-кет уланган VT2 транзисторнинг эмиттер-база ўтишини кучланиш билан таъминлайди.

• Энг содда БТГ схемаси 2-расмда кўрсатилган. Схемада I1 ток занжирига тўғри силжитилган диод уланишли, таянч транзистор деб аталувчи VT1 транзистор уланган. У жуда кичик қаршиликка эга. Шунинг учун VT1 кучланиш генератори вазифасини ўтайди. У RЮ бошқарилувчи занжир билан кетма-кет уланган VT2 транзисторнинг эмиттер-база ўтишини кучланиш билан таъминлайди.

• Содда БТГ схемаси

Содда БТГ схемаси (2- расм)

Барқарор ток генератори (БТГ)

• VT2 транзистор эмиттер-база кучланиши билан бошқарилгани учун унинг хусусиятлари УБ схеманинг хусусиятларига мос келади. Маълумки, УБ уланган схемада актив режимда коллектор токи коллектордаги кучланишга деярли боғлиқ бўлмайди (2-расм). Шунинг учун ихтиёрий RЮ дан ўтаётган ток I2 таянч кучланиш UЭБ2 билан аниқланади. I2 = I1 эканлигини амалда кўрсатамиз.

Барқарор ток генератори (БТГ)

• IЭ1 ва IЭ2 токлар юқори аниқликда Iэ=I0 exp(Uбэ/φТ) (1.1) ифода билан аппроксимацияланади, бу ерда, I0 – тескари силжитилган ЭЎнинг тўйиниш токи. Транзисторларнинг IЭ0 ва φТ параметрлари айнан бир хил бўлгани учун UБЭ1= UБЭ2 шартдан IЭ1=IЭ2 (1.2) 2-расмдан, I1=Iэ1+Iб2 , I2=Iк2= Iэ2-Iб2
•  (1.2) ни эътиборга олган ҳолда I2=I1-2Iб2 (1.3) ёзиш мумкин. База токи коллектор токидан 50÷100 марта кичик бўлади. Шунинг учун ҳисоблашларда I2 = I1 деб олиш мумкин. Бундаги хатолик 1÷2% дан ошмайди. Демак, RЮ юклама занжиридаги чиқиш токи I2 , занжир қандай бўлишидан қатъий назар, кириш токини ҳам қиймат, ҳам йўналиш бўйича такрорлайди. Кириш токи қийматига келсак, у етарли аниқлик билан I1=(Im1-0.6-)/R га тенг.