Электроника ва радиотехника кафедраси

Дарлингтон жуфтлиги

Таркибий транзистор

• Таркибий транзисторда натижавий ток узатиш коэффициенти алоҳида транзисторлар ток узатиш коэффициентларининг кўпайтмасига тенг. Агар β1 ва β2 лар бир хил қийматга эга бўлса, масалан, 100 га, ҳисоблаб топилган коэффициент β= β1 ∙β2=104 бўлади. Лекин бир хил VT1 ва VT2 ларда β1 ва β2 коэффициентлар IК1 ва IК2 коллектор токлари бир хил бўлгандагина бир-бирига тенг бўлади. IЭ1>>IБ1=IЭ2 бўлгани учун IК2 >> IК1. Шунинг учун β1<< β2 ва β= β1 ∙β2 амалда бир неча мингдан ошмайди.

Таркибий транзистор

• Таркибий транзисторлар турли ўтказувчанликка эга бўлган транзисторлар асосида ҳам ҳосил қилиниши мумкин. Бундай тузилмалар қўшимча симметрияга эга бўлган таркибий транзисторлар деб аталади.
• Бунда кириш транзистори сифатида p-n-p ўтказувчанликка эга транзистор, чиқиш транзистори сифатида эса n-p-n ўтказувчан-ликка эга транзистор ишлатилади. Натижавий токлар йўналишлари, расмдан кўринишича, p-n-p транзисторнинг токлари йўналишига мос келади. Ток узатиш коэффициенти β= β1+ β1∙β2 га тенг бўлади ва амалда Дарлингтон транзисторининг β сига тенг бўлади.

Комплементар БТлар, БТ ва МТлар асосидаги таркибий транзистор схемалари

Таркибий транзистор

• Принципда таркибий транзистор майдоний ва биполяр транзисторлар асосида ҳосил қилиниши мумкин. б-расмда n – канали p-n ўтиш билан бошқарилувчи МТ ва n-p-n тузилмали БТ асосида ҳосил қилинган таркибий транзистор схемаси келтирилган. Ушбу схема майдоний ва биполяр транзисторларнинг хусусиятларини ўзида мужассамлаштирган – бу жуда катта кириш қаршилигига ва ток бўйича, демак, қувват бўйича ҳам жуда катта кучайтириш коэффициентига эгалигидан иборат.

Инжекцион - вольтаик транзистор асосидаги таркибий транзистор Дарлингтон (а) ва Шиклаи (б) жуфтлиги схемалари

• Улар температура ва кучланиш манбаи қийматлари ўзгаришига нисбатан юқори барқарорликка эга.