Электроника ва радиотехника кафедраси Электроника ва схемалар 2 фанидан

кузгуси схемаси

3. 
   расм. Майдоний транзисторда ясалган уч транзисторли ток кузгуси
   

схемаси

Лаборатория ишини бажариш тартиби

Майдоний транзисторда ясалган икки транзисторли ток кузгуси

• 
  Лаборатория ишини бажариш учун 6.2- расмда келтирилган схемани NI Multisim датурий мухитида йигинг.
  
• 
  6.1 жадвалда белгиланган вариантингиздаги берилган параметрлар ( Е_П=U1=14.8 В 1_у=12.7 мА, U_зи=2В.) асосида Е_П кучланиш манбаси кийматини урнатинг ва R1 каршиликнинг кийматини куйидаги формула асосида хдсоблаб топинг:
  

R1= (Еп - Uзи) / Iу=
(14.8-2)/12.7=1007
R1=1007 Ом
Дастлабки хисоблаш натижаси асосида схемани созланг, симуляторни итттга. туширинг, 6.4- расм






Юклама каршилигининг кийматини R_H = 0 Ом дан R_H = 1,5 кОм гача 0,1 кОм кийматга ошириб боринг ва натижаларни 6.2 - жадвалга ёзиб олинг.

6.2 - жадвал.

Rh, Ом	0	0.1	0.2	0.3	0.4	0.5	0.6	0.7	0.8	0.9	1	1.1	1.2	1.3	1.4	1.5
Urh, в	0	1.265	2.531	3.796	5.062	6.327	7.593	8.858	10	11	13	14	15	16	18	19
Ih, мА	14	13	13	13	13	13	13	13	13	13	13	13	13	13	13	13
δ

Майдоний транзисторда ясалган уч транзисторли ток кузгуси

Iн=f(RН)

Iн=f(URН)

δ=f (RН)

Лаборатория ишини бажариш учун 6.3- расмда келтирилган схемани NI Multisim датурий мухитида йигинг.

• 
  Белгиланган вариантингиздаги берилган параметрлар (E_n=V1=14.8 В I_у=12.7 мА, и_зи=2В.) асосида Е_П кучланиш манбаси кийматини урнатинг ва R1 каршиликнинг кийматини куйидаги формула асосида хдсоблаб топинг:
  

R1= (Еп – 2Uзи) / Iу
R1=850 Ом
Дастлабки хдсоблаш натижаси асосида схемани созланг, симуляторни ишга туширинг, 6.5- расм.

Юклама каршилигининг кийматини R_H = 0 Ом дан R_H = 1,5 кОм гача 0,1 кОм кийматга ошириб боринг ва натижаларни 6.3 - жадвалга ёзиб олинг.

6.3 - жадвал.

Rh, Ом	0	0.1	0.2	0.3	0.4	0.5	0.6	0.7	0.8	0.9	1	1.1	1.2	1.3	1.4	1.5
Urh, в	0	1.257	2.514	3.771	5.028	6.285	7.542	8.799	10	11	13	14	16	17	18	19
Ih, мА	14	13	13	13	13	13	13	13	13	13	13	13	13	13	13	13
δ

Iн=f(RН)

Iн=f(URН)

δ=f (RН)