Электроника ва радиотехника кафедраси 2-мавзу

ИМСлар яратишнинг технологик жараёни

ИМСлар яратишнинг технологик жараёни

Легирлаш локал тарзда махсус тешикли маскалар ёрдамида амалга оширилади, улар ёрдамида эса киритма атомлари пластинанинг керакли соҳаларига киритилади. Маска ролини одатда SiO2 кремний диоксиди бажаради, кремнийли пластинанинг ёпилувчи сирти. Ушбу пленкада хар хил услубларда керакли шаклдаги деразалар ҳосил бўлади.

Биполяр ИС нинг асосий элементи бўлиб n–p–n-транзистор (биполярный транзистор) хизмат қилади ва унинг тайёрланишига бутун технологик цикл йўналтирилади.

Бошқа элементлар, имкон қадар қўшимча технологик операцияларсиз ушбу транзистордан яратилади.

ИМСлар яратишнинг технологик жараёни

МДЯ (МОЯ) ИСнинг асосий элементи бўлиб МДЯ (МОЯ) транзистори хизмат қилади.

Биполяр ИС элементларини бир-бирига уланмаслиги учун изоляция қилиш керак бўлади. МДЯ (МОЯ) элементларини эса бир биридан изоляция қилиш талаб этилмайди. Бу унинг биполяр ИС га қараганда унинг афзаллиги ҳисобланади.

Охирги вақтда подложка (таглик) материали сифатида арсенид-галлий кенг тарқалди. Ушбу асосдаги яримўтказгичли микросхемаларда актив элемент сифатида бошқарилувчи металл-яримўтказгич ўтишли майдоний транзисторлар хизмат қилади.

ИМСлар яратишнинг технологияси

ИМСлар яратишнинг технологияси

ИМСлар яратишнинг технологияси

ИМСлар яратишнинг технологияси

Яримўтказгич ИМСлар яратишда технологик жараён ва операциялар

• Яримўтказгич ИМСлар тайёрлаш учун асосий материал бўлган - кремний монокристал қуймалари олишдан бошланади. (Чохральский усули)
• Ҳосил бўлган кремний қуймаси n– ёки р–турли электр ўтказувчанликка эга бўлади.
• Қуйма узунлиги 150 см, диаметри эса 150 мм ва ундан катта бўлиши мумкин.
• Зонали эритиш усулида монокристал ифлослантирувчи киритмалардан қўшимча тозаланади.

Яримўтказгич ИМСлар яратишда технологик жараён ва операциялар

• Эпитаксия. Эпитаксия жараёни асос сиртида унинг кристалл тузилишини такрорловчи юпқа монокристал ишчи қатламлар ҳосил қилиш учун ишлатилади.
• Газ фазали ва суюқ фазали эпитаксия усуллари кенг тарқалган бўлиб, улар монокристал асос сиртида n– ёки р–турли ўтказувчанликка эга бўлган эпитаксиал қатламлар ҳосил қилиш имконини беради.
• Термик оксидлаш. Термик оксидлаш – кремний сиртида оксид (SiO2) қатлам (парда) ҳосил қилиш мақсадида сунъий йўл билан оксидлашдан иборат жараён. У юқори (1000÷1200) 0С температураларда кечади.