Elektronika va avtomatika

Diffuziya. 

 Odatda  p-n  o‗tish  olish  uchun  diffuziya  ishlatiladi,  yana  ionlar  bilan 

bombardirovka      (ionlar  bilan  legirlash)  usuli  ham  qo‗llaniladi.  Quyidagi  11- 

rasmda p-n o‗tish olish uchun ishlatiladigan  pech konstruktiv sxemasi keltirilgan. 

 

11- rasm. 

Bu  rasmda:    1-  termojuftlik;  2-  kremniy  karbidli    kamera;  3- nixromli isitish spirali; 

4-  sochish  qurilmasi;  5-    quruq  O

2; 

  6-  modda  solingan  qayiqcha;  7-  plastinali 

qayiqcha; 8- diffuziya  zonasi; 9- manba zonasi. 

---

33 

 

      Kremniy  karbidli  kvars  kamerasida  plastinalar  joylashgan  qayiqcha  orqali 

quruq  kislorod  o‗tkaziladi.  Past  temperaturali zonadan fosfor shu kislorol muhitida 

etkaziladi.  Plastinalar  temperaturasi  termojuftlik  yordamida  o‗rnatilgandan  keyin 

past  temperaturali  zonaga  fosfor  dioksidi  (  R

2

O

5 

)  kiritiladi.  Bu  fosfor  dioksidi 

220

o

S  gacha  qizdirib  tutatiladi  va  kislorod  muhitida  yuqori  temperaturali  zonaga 

yo‗naltiriladi,  bu  zonada  diffuziya  sodir  etiladi.  Diffuziya  amaliyoti  o‗tkazilgandan 

keyin  fosfor  etkazib  berish  to‗xtatiladi.  Plastinalar  asta-  sekin  sovutiladi. 

Adabiyotlarda  ko‗rsatilishicha,  diffuziya  parametrlariga  kislorod  muhiti  gazi 

harakati  tezligi,  kislorodni  to‗xtatish  surati,  hatto  bu  gazning  oqish  xarakteri  ham 

ta‘sir ko‗rsatar ekan. 

 

p-n  o‗tishning  qalinligi  diffuziya    davom  etadigan  vaqtga,  temperaturaga  ( 

diffuziya  koeffitsienti  qanday  temperaturada  diffuziya  o‗tkazilayotganiga  bog‗liq) 

bog‗liq bo‗ladi. 

 

p-n  o‗tish  qalinligini  tajribaviy  yo‗l  bilan  qatlamlarni  ketma-ket  ochib 

(stravlivanie),  solishtirma  qarshilik  va  Xoll  effekti  doimiysini  har  bir  bosqichda 

o‗lchash orqali amalga  oshiriladi. 

         Diffuziya  qilishning  yana  bir  usuli  –  ion  bombardirovkasidir.  Usul  qurilmasi 

mass-spektrografga  o‗xshash  bo‗ladi.  Qurilma  gazorazryadli  ion  manbasidan, 

elektrostatik  fokuslash  tizimidan,  magnitdan  va  p-n  o‗tish  hosil  qilinadigan 

dastgakdan  iborat  bo‗lib,  unda  ionlar  massalari  bo‗yicha  ajratiladi.  Qurilmada  10

-6

 

mm  sim.  ust.  va  undan  past  vakuum  ushlab  turiladi  ,  bu  vaqtda  ionlar  chiquvchi 

manba bosimi 10

-2 

– 10

-3

 mm sim. ust.  bo‗ladi . 

           Ionlar  bilan  legirlash  usulining  afzalliklari  -  diffuziya  kattaliklarini  va  p-n 

o‗tish chuqurligini  aniq kontrol qilish,  muhitning  tozaligidir.