Elektr energetikasi

2- jadval
 
 
 
 
 
 
 
2-Rasm. 
 
 
 
 
 
 
 
3-Rasm. 
 
Alohida  zatvorli  elektrod  zatvori  maydon  tranzistorlarida  dielektrik  qatlami 
kanalning yarim o‗tkazgichli joyidan izolyasiya   
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
                                2-rasm 
 
 
 
 
 
 3-rasm 
(ajratilgan) qilingan. Agar dielektrik sifatida achim 
alardan foydalanilsa, masala SiO
2
, unda tranzistor metall-achima-yarim o‗tkazgich  
strukturasiga  yoki  MOP  –strukturasiga  ega  bo‗ladi.  Bunday  tranzistorlarning 
ta‘sirlash  prinsipi  ko‗ndalang  elektr  maydon  ta‘siri  ostida  yarim  o‗tkazgich  yuza 
qatlami  o‗tkazuvchanligi  o‗zgarishi  samrasiga  asoslangan.  Maydon  tranzistorlari- 
qattiq  jismli  elektron  lampalarga  o‗xshash  .  Ular  tikkali  xossasi-parametrlarining 
o‗xshash  sistemalari  bilan  xarakterlanadi.  (0,1...400  mA/V),  keskin  uzish 

---

kuchlanishi  bilan  (0,5...20  V),  o‗zgarmas  tok  bo‗yicha  kiradigan  qarshilik 
(10
11
...10
16
Om) va hokazo. 
 
U
ZI
=0  nol  kuchlanishda  manba  va  oqib  tushish  (stok)  o‗rtasidagi  kanal 
mavjud  bo‗lmaydi. 
Rp-
  o‗tishlarda,  qarama-qarshi  yo‗naltirilganda,  elektronlarni 
manbadan  stokka  ya‘ni  kanal  bo‗lmaganida  harakatlanishga  to‗sqinlik  qiladi, 
U
ZI
 
0 holatida elektr maydon zatvor ostida  musbat zaryadlarni (kichkina teshiklar 
r-yarim o‗tkazgichda asosiy tashuvchilar hisoblanadi) yarim o‗tkazgich ichkarisiga 
itaradi. Ayrim kuchlanishning bo‗sag‗a qiymatida manba bilan stok zatvori (qulfi) 
ostidagi  oraliqda  etarli  miqdorda  elektron  qatlam  hosil  bo‗ladi.  o‗tkazuvchi  kanal 
yaratiladi,  uning  qalinligi  1...2  nanometrni  tashkil  qilishi  mumkin,  keyinchalik 
deyarli  o‗zgarmaydi.  Kanal  qatlami  solishtirma  o‗tkazuvchanligi  undagi 
elektronlar konsentratsiyasiga bog‗liq bo‗ladi. U
ZI
ni o‗zgartirib stok (oqib tushish) 
miqdorini o‗zgartirish mumkin. Oqib tushuvchi (chiquvchi)voltamperli tavsifining 
taxminiy  ko‗rinishi 
I
S
=f(U
CI
)  o„zgarmas  miqdorda  U
ZI
=const
    va  stok-zatvorli 
(uzatish) voltamperli 
I
S
=f(U
ZI
) 
tavsifi indutsiyalangan kanalli tranzistor 
U
SI
=const
  
bo‗lgani 4a va 4b rasmda ko‗rsatilgan.  
Tavsifning  o‗ziga  xosligi  shundaki,  tok  musbat  kuchlanishlarda  U
ZI
 
0  U
ZI  POR
 
kelib  chiqadi,  bu  erda  U
ZI  POR
-  tranzistorni  inkor  bo‗lmasligi  kuchlanishi.  4- 
rasmdan  ko‗rinib  turibdiki  barcha  tavsiflar  kuchlanishning  musbat  miqdorida 
joylashgan.