Elektr energetikasi

    10

100  kOm
 
atrofida bo‘ladi.  
Хarakteristikaning tikligi: 
                      
n
c
U
I
S
3



;
const
Сn


          
 
(5) 
bilan aniqlanadi. 

---

 
Masala yechish uchun namunalar 
 
1-masala.
 
Tranzistor AF115-umumiy qo`llanishli, germaniyli, kam quvvatli, 
yuqori chastotali. 
Tranzistor BC108-umumiy qo`llanishli, kremniyli, kam quvvatli, past chastotali. 
Tranzistor BD135-umumiy qo`llanishli, kremniyli, yuqori quvvatli, past chastotali. 
Tranzistor BEY50-maxsus qo`llanishli, kremniyli, kam quvvatli, yuqori chastotali. 
 
2-masala.
 
Tranzistor emittorining toki 98 mA ga teng, kollektor toki esa 97 mA. 
Baza  toki  va  h
FE
  ni  hisoblang.Tranzistor  toklari  orasidagi  munosabat  quyidagi 
tarzda yoziladi: 
                                                 
C
B
E
I
I
I


 
Shuning uchun 
mA
I
I
I
C
E
B
1
97
98





 
                            
97
1
97


FE
h
 
3-masala.
 
30 mA boshqarish toki yordamida 1.5 A yuklanish tokini nazorat qilish 
uchun  tranzistorni  ishlatish  ko`zda  tutilgan.Tranzistorning  h
FE
  ning  kerakli 
qiymatini aniqlang: 
 
50
30
1500


FE
h
 
4-masala.
 
Tranzistor  chiziqli  kuchaytirgich  tarkibida  ishlaydi.h
fe
=175,  h
FE
=200, 
kollektorning  o`zgarmas  toki  I
C
=10  mA.  Bazaning  o`zgarmas  toki  va  kollektor 
tokining tebranishdagi 10mkA baza tokining o`zgarishini hisoblang. 
 
 
 
 
 
 
 
4-rasm  
Kam quvvatli, chiziqli rejimda ishlaydigan tranzistorning elektrodlar 
orasidagi kuchlanish. 
 
Siljish bazasining o`zgarmas toki 
                          
mA
h
I
h
FE
C
B
05
.
0
200
/
10
/



 
Kollektor tokining o`zgarishi 
                          
mA
h
I
I
fe
B
C
75
.
1
175
*
01
.
0





 
    Maydonli  tranzistorining  tok  oqimi  100  mA  ga  1V    kuchlanishda  teng.  Asbob 
aylanishi  250  mA/V.  Oqim  tokining  o`zgarishini  aniqlang,  agar  zatvordagi 
kuchlanish  -1.1V ni  tashkil  etsa.Tok oqimining o`zgarishi   
D
I

aylanishning oqim 
kuchlanishining o`zgarish ko`paytmasiga teng:  
mA
V
U
g
I
DS
D
25
1
.
0
*
250





 
 

---

5-masala.
 
MDP-tranzistor tokni I
L
=12 A qayta yoqish uchun ishlatiladi.Tranzistor 
75  Vt  dan  ko`p  bo`lmagan  quvvatni  sochishi  mumkin.Tranzistor  qarshiligining 
yoniq holdagi R
DS(on)
, kerakli qiymatini aniqlang. 
Tranzistorda sochiladigan quvvat      
)
(
2
on
DS
L
D
R
I
P

,  
 
Shuning uchun,  
Om
I
P
R
L
D
on
DS
52
.
0
)
12
(
75
2
2
max
)
(



 
Qurilmaning ishonchli ishlashi uchun qarshiligining qiymati bir necha marta kichik 
bo`lgan tranzistor tanlanadi.Masalan, to`g`ri qarshiligi 0.2Om bo`lgan IRF530 
tipdagi tranzistor mos keladi.