Elektr energetikasi

             
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
4a-Rasm.
   
 
 
 
 
4b-rasm
. 
 
Alohida zatvorli maydon tranzistorlarining asosiy parametrlari:  
- U = const bo‗lganida uzatish tavsifining tikligi  S=(dlc/dUz); 
- Rs to‗yinish uchastkasida oqib tushish differensial qarshiligi; 
-joiz oqib tushish I
Smax
; 
-joiz kuchlanish U
Smax
; 
-joiz quvvat R
 Smax
; 
Tranzistorning ishonchli bo‗lmagan afzalligiga quyidagilar kiradi: 
-
 
almashlab ulashning katta tezligi; 
-
 
chiqish  quvvatining  oshishi  uchun  tranzistorlarni  oddiy  parallel  ulash 
ehtimolligi; 
-
 
tranzistorlarning katta impulsli kuchlanishga bardoshligi; 

---

-
 
zamonaviy  texnologiyalarni  qo‗llash  ehtimoli  uncha  katta  bo‗lmagan  kam 
quvvat  sarflaydigan  va  10
6
  gacha  aktiv  elementlardan  iborat  bo‗lgan  integral 
mikrosxemalarni yaratish imkonini beradi. 
Maydon tranzistorining biopolyar tranzistordan farqi shundaki, unda elektrodni 
boshqaruvchi  tok  maydon  tranzistorida  –  past  chastotali  zatvor  sezilarli  darajada 
past bo‗ladi.