Д. В. Харьков графит в науке и ядерной технике г. Новосибирск 013 Монография

 

---

48 
Рис. 2.1.
Рентгенограмма образцов мелкодисперсного плотного графита SGL 
Кривая (1) относится к неразрушенной пластине, кривая (2) к растертому образцу. 
Высота пика 002 заметно больше в первом случае, поскольку для пластины имеет 
место текстура – преимущественная ориентация в направлении 00l. Для образцов 
графита марки LeCL и МПГ-6 рентгенограммы практически совпадают с нижней 
кривой [66]. 
Таблица 2.2.
Кристаллографические параметры графитовых композитов. 
 
2.3. Электронно-микроскопические съемки
Электронно-микроскопические съёмки были выполнены в ИК СО РАН 
на просвечивающем электронном микроскопе (TEM) JEM-100C (Япония) при 
ускоряющем напряжении 100 кэВ и разрешении 0,5 нм. Образцы для 
измерений приготавливались с использованием стандартной процедуры. 
Углеродный материал измельчался в агатовой ступке, диспергировался 
ультразвуком в растворе этилового спирта, и затем полученная суспензия 
наносилась на медную сетку, покрытую углеродной пленкой с отверстиями 
микронных размеров. 
На микрофотографии высокого разрешения (ВРЭМ) у мелкодисперсного 
углеродного композита марки LeCL
 
вблизи изгибов графенового слоя можно 
наблюдать многочисленные дислокации (рис.2.2). Природа этих дефектов 
объясняется разрывом графеновых плоскостей и формированием 
дислокационных петель вследствие накопления междоузлий.
Такие агломераты образуются, когда отдельные подвижные атомы 
междоузлий диффундируют между двумя базовыми плоскостями, и 
объединяются, образуя менее мобильную группу [73]. Таким образом, 
Образец 
Параметры 
решетки 
Размеры 
ОКР, Å 
Величина 
микроискажений 
00l
a,
Å 
c
, Å 
00l 
hk0 
МПГ-6 
2.464(1) 6.766(3) 
>1500 
250 
0.0065 
SGL 
2.465(1) 6.764(4) 
300 
250 
0.0030 
LeCL 
2.463(1)