Д. В. Харьков графит в науке и ядерной технике г. Новосибирск 013 Монография

КРЕПЛЕНИЕ ГРАФИТОВЫХ ОБРАЗЦОВ
 
Для крепления графитовых образцов были разработаны специальные 
зажимы из тантала, которые не только выдерживают высокие температуры 
без окисления, но и позволяют создать надежные токовводы, позволяющие 
исключить продольные нагрузки на образец (рис.I.1). На основе этих же 
креплений позднее были разработаны держатели, позволившие подавать 
регулируемую нагрузку на образец. Высокотемпературные испытания с 
повышенной нагрузкой показали заметное снижение времени жизни образца 
во время теста, в зависимости от величины приложенной нагрузки. Первые 
же пробы показали заметное снижение времени жизни образцов под 
нагрузкой во время высокотемпературных тестов, однако результаты этих 
тестов были сугубо предварительные, и анализ их не проводился. 
 
 
Рис. I.1. 
Держатель графитовых образцов (оригинальная разработка). Стрелками 
на верхнем чертеже указаны точки крепления, которые предоставляют свободу 
вращения на концах графитового образца, близкую к сферическим подшипникам 
(чертёж выполнен в 3D-графической программе). На врезке показано увеличенное 
изображение крепления графитового образца. 
 
 

---

172 
ПРИЛОЖЕНИЕ II 
КВАНТОВЫЕ ПОПРАВКИ К ПРОВОДИМОСТИ
 
Слабая локализация (СЛ) - совокупность явлений, обусловленных 
квантовой интерференцией электронов проводимости в проводниках с 
металлическим типом проводимости, т. е. обладающих остаточной 
проводимостью [82, 185]. Эффекты СЛ универсальны и проявляются в 
любых неупорядоченных
 
системах - сильнолегированных полупроводниках, 
металлических стёклах, системах с двумерным электронным газом
, 
тонких 
металлических плёнках и т. д. При температурах столь низких, что 
сопротивление проводника определяется рассеянием электронов на 
случайном потенциале, создаваемом, например, хаотически расположенными 
примесями, квантовая интерференция приводит к поправкам к классической 
электропроводности. Последнюю рассчитывают на основе кинетического 
уравнения Больцмана, при выводе которого предполагается, что между 
соударениями электрон движется по классической траектории и рассеяние на 
различных центрах происходит независимо. К слабой локализации приводит 
изменение скорости диффузии электронов за счёт интерференции 
электронных волн, многократно рассеиваемых дефектами кристаллической 
решётки. 
Происхождение термина «Слабая локализация» объясняется тем, что 
интерференционные явления можно интерпретировать как предвестник 
андерсоновского перехода металл – диэлектрик, при котором благодаря 
достаточно сильному беспорядку происходит полная локализация 
электронных волн. Вдали от перехода квантовые поправки малы по 
параметру λ/