Д. В. Харьков графит в науке и ядерной технике г. Новосибирск 013 Монография

Δσ
0
 
возникает естественным образом как следствие изменения высоты и 
ширины энергетического барьера, связанного с межкристаллитной фазой.
В приближении аппроксимации эффективной среды согласно [82] этот 
вклад в макроскопическую проводимость образца может быть с точностью 
до множителя оценён в виде: 
1/Δσ = 
0
a u
0
 
exp( 
u
c
),
(2.2) 
где 
a
 
– ширина энергетического барьера; а 
u
0
, 
u
c
представляют собой 
предельную и критическую высоту энергетического барьера. Выражение 

---

63 
(2.2) получено в [82] в предположении равномерного распределения высоты 
барьеров: 
1/u
0

при u
u
0
F
(
u
) =
(2.3) 
0
при u 
 
u
0
 
Здесь является так называемым критическим индексом, значение 
которого зависит только от размерности решетки и в случае трехмерной 
случайной решетки = 0.875. 
Можно предположить, что как облучение электронами, так и прогрев 
образца переменным током может приводить к уменьшению высоты и 
ширины барьеров и, соответственно, к увеличению общей проводимости 
образца. Сдвиг Δσ
0
может быть связан с изменениями в межкристаллитной 
фазе графитового композита, эти изменения могут инициироваться, 
например, увеличением концентрации носителей, которое, в свою очередь, 
может быть связано с ростом числа дефектов в межкристаллитной фазе. 
Последнее 
обстоятельство 
прямо 
подтверждается 
измерениями 
относительного 
магнетосопротивления 
при 
гелиевых 
температурах 
(рис. 2.19). 
В данном случае, мы наблюдаем классическое положительное 
магнетосопротивление, связанное с увеличением протяжённости траектории 
движения электрона (или дырки) из-за её закручивания в скрещенных 
электрических и магнитных полях. Отжиг уменьшает величину этого 
относительного магнетосопротивления тем больше, чем больше температура 
или время термообработки. 
Необходимо отметить, что механизм возникновения температурно-
независимой прибавки к проводимости Δσ
0 
в формуле (2.1) может быть 
заметно более сложным, чем описано выше, поскольку рост дефектности 
межкристаллитной границы в результате термообработки будет увеличивать 
число центров для неупругого резонансного туннелирования [80].

---

64