Техник ва технологик фанлар со
ҳ
аларининг инновацион масалалари. ТДТУ ТФ 2020
7
ИЗУЧЕНИЕ ЭЛЕКТРОФИЗИЧЕСКИХ И ОПТИЧЕСКИХ СВОЙСТВ
ХЛОПКОВЫХ И ШЕЛКОВЫХ ВОЛОКОН
1
Мамадалимов А.Т.,
1
Закиров А.С.,
1
Хакимова Н.К.,
2
Шерматова М.А.,
3
Тураев Б.Э.,
1
Норбеков Ш.М.,
1
Каримов Ш.П.,
1
Убайдуллаева Д.Р.,
4
Умарова С.,
1
Аминов Д.Р.
1
Национальный университет Узбекистана им.М.Улугбека,
2
Худжандкий государственный университет им. Б.Гафурова,
г. Хужанд Республика Таджикистан,
3
Термезский филиал Ташкентского Государственного технического
университета им. И.Каримова,
4
Каршинский Государственный университет
Настоящие время интенсивно проводится исследования в области физики
природных полимерных полупроводниковых волокон [1,2]. Это
позволила создавать
элементы электронный техники - электронный влагомер [3], диоды, фотодиоды [4] и
транзисторы [5]. Нами проводились комплексное исследование механических,
электрических,
фотоэлектрических,
оптических
свойств
природных
полупроводниковых хлопковых волокон (ХВ) и шелковых волокон (ШВ). Известно,
что наноструктурные ХВ и ШВ обладают уникальными физическими свойствами [1-5].
Поэтому расширение круга исследований позволят выявить новые физические
закономерности и создавать различные приборы с особыми свойствами.
Физические свойства волокон зависит от внешних воздействий. Для измерения
было использованы зрелые ХВ сортов «АТМ-1», «Голиб», «Л-35», «Хазина», «Диёр»,
«Термез» и очищенный от серицина фиброин ШВ сортов «Мархамат-Асака» и «Арт. 1-
20696». Образцы изготавливались в виде пучка волокон, уложенных параллельно друг
другу, общим весом 5-30 мг., в количество 5000-10000 штук, пропитанных 5%-
спиртовым раствором йода и обработанных при t=20 - 90° С в течение от 30 до 600
минут. Длина образца составляла 4-8 мм.
Эксперименты
показывают, что независимо от сорта ХВ и ШВ, их
электропроводность возрастает при повышении температуры по экспоненциальному
закону. Обнаружено, что электропроводность ХВ, обработанный в спиртовом растворе
йода, на 10
2
-10
4
раз выше, а ШВ на 300- 2000 раз выше, чем контрольных, что связно с
присутствием йода в ХВ и ШВ. Таким образом,
можно модифицировать
электропроводность ХВ и ШВ.
Были изучены тензоэлектрические свойства ШВ сортов «Мархамат- Асака» и
«Арт. 1-20696». Для изучения влияния одноосного давления на электропроводность
нелегированных и легированных йодом ШВ было создано специальное устройство.
Электрический ток через образец как исходный, так и легированный ШВ,
увеличивается по экспоненциальному закону. Энергии термической ионизации
соответственно
равны Е
t1
=0,55 эВ и E
t2
=1,0 эВ. Изменение энергий ионизации после
легирования, возможно, связь с взаимодействием йода со структурой ШВ.
Термоциклирование образцов более 10 раз ШВ в области температур 20-100
0
С
показали отсутствие гистерезиса электропроводности. В ШВ при одноосном давлении,
перпендикулярном
оси волокон, электрический ток монотонно возрастет и при
давлениях ≈200кг/см
2
стремится к насыщению.
Исследована фотолюминесценция (ФЛ) поверхностно модифицированного и
покрытого с МЕН – PPV (MEH – PPV – poly [2 – methoxy -5 –(2 ethyexyloxy) – 4,1 -
phenylenevinylene]) ХВ. Выявлено, что управляя морфологией ХВ через химическую
обработку, интенсивность ФЛ может быть увеличена по
сравнению с исходным
материалом. Установлено, что происхождение спектров ФЛ зависит от химического
состояния поверхности и морфологии образца. Обработанный ХВ имеют относительно
большую интенсивность ФЛ по сравнению с обычной поверхностью волокна.
Обнаружено слабо светлые эмиссии в этой системе, которая состоит из синего –
Техник ва технологик фанлар со
ҳ
аларининг инновацион масалалари. ТДТУ ТФ 2020
8
зеленого – и красного цвета. Показано, что электропроводность не легированных ХВ
повышается с увеличением температуры с энергией активации 0,13 и 0,37 эВ. На
основе установленных
закономерностей можно, в дальнейшем создавать датчики
температуры и давления. Исследованы спектры фотопроводимости (ФП) и ФЛ
нелегированных и легированных йодом ХВ. В них впервые обнаружены эффекты ИК
гашения ФП и увеличении фоточувствительности при комбинированном освещении.
Обнаружение ФЛ и создание р-n структур на основе ХВ, в дальнейшем,
позволяет разработать светоизлучающих диодов.
Do'stlaringiz bilan baham: 
