Conference Paper

2
(4 mg) and 
3
(20 mg). Fraction seventh was chromatographed 
via Sephadex LH-20 column eluting with (CHCl
3
:CH
3
OH, 1:1) to get compounds 
4
(18 mg) 
and 
5
(10 mg).
REFERENCES 
1. Bremer K. Asteraceae: Cladistics and Classification. Oregon: Timber Press; 1994.
2. Mozaffarian V. A Dictionary of Iranian Plant Names. Tehran: Farhang Moaser publisher ; 
1996, pp 1112.
3. Huber-Morath A Achillea. In: Rechinger KH (eds) Flora Iranica. No.158. Graz : 
Ackademiche Druck-U. Verlagsansfalt; 1989, pp 57-58.
4. Sheidai M, Azanei N, Attar F. New chromosome number and unreduced pollen formation 
in Achillea species (Asteraceae). Acta Biol Szegediensis 2009; 53: 39-43. 
ТЕРМОДЕФЕКТООБРАЗОВАНИЕ В КРЕМНИИ, ЛЕГИРОВАННОМ 
Sm, Gd, Er, Tm и Yb 
Зайнабиддинов С., Назиров Д.Э. 
АндДУ,
НУУз, Ташкент [e-mail] 
Концентрации примесей 
Sm
, 
Gd
, 
Er
, 
Tm
и 
Yb
в кремнии, определенные по 
прямым методом меченых атомов (с использованием метода прямой радиоактивной 
изотопом - DRTM) и нейтронного активационного анализа (НАА) составляли: 
N
рзэ
=5

10
15 

5

10
19 
cм
-3
. С помощью ИК-микроскопии в образцах выявлено образование 
дислокаций. Установлено что, при концентрациях исследуемых редкоземельных 
элементов в кремнии N
рзэ

10
16 
см
-3
, начинается выпадение второй фазы. Результаты 
электрических измерений показывают что 
Sm
, 
Gd
, 
Er
, 
Tm
и 
Yb
в кремнии в исходном 
состоянии находятся в электрически неактивном состоянии. Исследования влияния 
термических обработок (900

1200
0
С) в течении 1-2 часов на воздухе и в откачанных 
ампулах с последующей закалкой или медленным охлаждением показывают, что 
преципитация кислорода происходит меньше в 
Si
<
REE
>, чем в контрольных образцах.
Изучение результатов изотермическая релаксация показывает, что 
Sm
, 
Gd
, 
Er
, 
Tm
и 
Yb
в кремнии выступают при термических обработках в качестве геттера для 
неконтролируемых примесей и структурных дефектов. Установлено, что концентрации 
глубокие уровни 
Е
С
-0,17 эВ, 
Е
С
-0,2 эВ, 
Е
С
-0,32 эВ, 
Е
С
-0,41 эВ, 
Е
V
+0,4 эВ в образцах 
Si
<
REE
> намного меньше, чем в контрольных образцах, прошедших соответствующие 
этапы термических обработках.
Термические обработки в интервале температур 1373 

1473 
K
, в течении 2 
часов с последующей закалкой в масле или медленным охлаждением, привела к 

---

Техник ва технологик фанлар со
ҳ
аларининг инновацион масалалари. ТДТУ ТФ 2020 
204 
компенсации всех образцов 
Si
<
РЗЭ
>, в следствии чего методом ИРЕ во всех 
исследуемых образцах в интервале температур 77

300 
К
перезарядки каких-либо 
центров не обнаружено (
N
d 
< 5

10
11
см
-3
), т.е. измеряемая емкость барьеров Шоттки, 
изготовленных на основе Si<РЗЭ> с концентрацией РЗЭ в кремнии 
N
рзэ 

5

10
16 
см
-3
, не 
зависела от величины приложенного напряжения до температур ~ 80 
K
и для образцов с 
концентрацией 
РЗЭ
в кремнии 

10
17
cm
-3
до 100 
К
, т.е. 
С
b
~ 
C
h
, причем степень 
компенсации в быстроохлажденных образцах была высокой.
Термическая обработка при 1173 
К
и более приводит к уменьшению 
концентрации ионизованных центров в образцах кремния, легированного 
исследуемыми примесями 
РЗЭ
, от 3

10
14
cм
-3
до 2.6

10
14
cм
-3
. Однако образование 
ГУ
в 
запрещенной зоне кремния связанных именно с редкоземельными элементами не 
обнаружено. Хотя, их косвенное влияние распространялась на концентрацию 
большинства наблюдаемых 
ГУ
.
Следовательно, можно предположить, что редкоземельные элементы 
Sm
, 
Gd
, 
Er
, 
Tm
и 
Yb
, образуют мелкий акцепторный уровень в нижней половине запрещенной зоны 
кремния, что подтверждает их акцепторную природу. В случае контрольных (без РЗЭ) 
образцов после 
ТО
(1173 

1473 
К
) выявлены следующие 
ГУ
: (
Е
с

0.17

0.22) 
эВ
,
(
Е
с

0.4) эВ, (
Е
с

0.54) 
эВ
, (
Е
v
+0.2) эВ, (
Е
v
+0.4) 
эВ
, параметры которых совпадают с 
известными литературными данными 

6

. Концентрации всех этих термических 
центров не превышала 

5 

10
13
cм
-3
. 
В случае термических обработках образцов 
n
-
Si
<
РЗЭ
> в откачанных кварцевых 
ампулах, в отличие от термически отожженных на воздухе, обнаруживаются все ГУ, 
наблюдаемые в образцах 
n
-
Si 
без 
РЗЭ
(контрольных). Но их концентрация в 
n
-
Si
<
РЗЭ
> 
обычно не превышает значений ~ (2 

3)

10
13
cм
-3
, за исключением центра с 
ГУ
Е
v 
+ 0.4 
эВ
, сечение захвата для электронов которого 

n
~ 10
-14
cм
-2
, его концентрация в 
контрольных образцах достигает (3 

4)

10
14 
cм
-3
, а в легированных 
РЗЭ
кремнии ~ 
1

10
14
cм
-3
.
Как известно, этот донорный глубокий уровень связывают с железом (
Fe
) 

7

. Таким 
образом, следует отметить, что 
РЗЭ
Sm
, 
Gd
, 
Er
, 
Tm
и 
Yb
подавляют образование как 
ГУ
связанного с быстродиффундирующими неконтролируемыми примесями золота 

1

, так 
и железа (
Fe
), как и других термических центров с уровнями 
Е
с

0.17 
эВ
(рис. 1) и
Е
с

0.4 эВ (рис. 2) значения концентрации которых зависит как от температуры 
обработок, так и от наличия РЗЭ в кремнии.