Цифровые интегральные микросхемы

Planar-epitaxial texnologiya har qanday o'tkazuvchanlik turidagi substratda yarimo'tkazgich qatlamini o'stirishga imkon beradi, bunda o'stirilgan qatlamning kristall tuzilishi substratning kristall tuzilishining davomi hisoblanadi. Yetishtirilgan qatlamning tarkibi (epitaksial plyonka) substrat tarkibidan farq qilishi mumkin. P tipidagi kremniyli substratda n tipli epitaksial qatlamni qurish orqali pn birikmasini hosil qilish mumkin, va tuzilishi bir hil bo'lgan epitaksial qatlam boshqa pn birikmalarini ishlab chiqarish uchun asos bo'lib xizmat qilishi mumkin. himoya qatlami bilan qoplangan, so'ngra planar diffuziya texnologiyasini ko'rib chiqishda ko'rsatilgan texnologik jarayon.

• Planar-epitaxial texnologiya har qanday o'tkazuvchanlik turidagi substratda yarimo'tkazgich qatlamini o'stirishga imkon beradi, bunda o'stirilgan qatlamning kristall tuzilishi substratning kristall tuzilishining davomi hisoblanadi. Yetishtirilgan qatlamning tarkibi (epitaksial plyonka) substrat tarkibidan farq qilishi mumkin. P tipidagi kremniyli substratda n tipli epitaksial qatlamni qurish orqali pn birikmasini hosil qilish mumkin, va tuzilishi bir hil bo'lgan epitaksial qatlam boshqa pn birikmalarini ishlab chiqarish uchun asos bo'lib xizmat qilishi mumkin. himoya qatlami bilan qoplangan, so'ngra planar diffuziya texnologiyasini ko'rib chiqishda ko'rsatilgan texnologik jarayon.