Часть II issn 2072-0297

152
«Молодой учёный» . № 7 (66)  . Май, 2014 г.
Технические науки
4. Будылина, Е. А., Гарькина И. А., Данилов А. М., Махонин А. С. Основные принципы проектирования сложных 
технических систем в приложениях / Молодой ученый. — 2013. — № 5. — с. 42–45.
5. Гарькина, И. А, Данилов А. М., Пылайкин С. А. Транспортные эргатические системы: информационные модели 
и управление / Мир транспорта и технологических машин. — 2013. — № 1 (40). — с. 115–122.
6. Andreev, A. N., Danilov A. M., Klyuev B. V., Lapshin E. V., Blinov A. V., Yurkov N. K. Information models for 
designing conceptual broad-profile flight simulators / Measurement Techniques. August 2000. — Vol. 43. Issue 
8. — P. 667– 672.
7. Гарькина, И. А., Данилов А. М., Домке Э. Р. Математическое моделирование управляющих воздействий опера-
тора в эргатической системе / Вестник Московского автомобильно-дорожного государственного технического 
университета (МАДИ). — 2011. — № 2. — с. 18–23.
Исследование наноструктурированных материалов и химических реакций 
методом индикатрис светорассеяния
Матюшкин Лев Борисович, аспирант; 
Бидинский Сергей Андреевич, студент
Санкт-Петербургский государственный электротехнический университет имени В. И. Ульянова (Ленина)
П
ри синтезе наночастиц необходимо знать их размер, 
концентрацию, форму и другие физические па-
раметры и характеристики. Одними из наиболее по-
пулярных для исследования наноструктурированных ма-
териалов являются неразрушающие оптические методы 
диагностики, которые базируются на сравнении интен-
сивности света, прошедшего через образец и поглощен-
ного или рассеянного образцом. В работе предлагается 
макет экспериментальной установки для проведения 
исследования жидких и твердотельных наноструктури-
рованных материалов методом индикатрис светорас-
сеяния.
Описание установки
Созданный экспериментальной макет реализует метод 
статического рассеяния света — получение индикатрисы 
рассеяния света, в результате прохождения лазерного 
луча через образец. Блок-схема лабораторного макета 
представлена на Рис. 1.
Рис.