Bu "uzatish-qarshilik" yoki

Tranzistor
Transistor - bu kichik miqdordagi kuchlanish yoki oqim bilan katta miqdordagi oqim yoki kuchlanishni boshqarish uchun sxemada ishlatiladigan elektron komponent. Bu shuni anglatadiki, u elektr signallarini yoki quvvatni kuchaytirish yoki almashtirish (to'g'rilash) uchun ishlatilishi mumkin, bu esa uni keng elektron qurilmalarda ishlatishga imkon beradi.
Buni bitta yarimo'tkazgichni ikkita yarim o'tkazgich o'rtasida sendvichlash orqali amalga oshiradi. Chunki oqim odatda yuqori qarshilikka ega bo'lgan material bo'ylab uzatiladi (ya'ni a qarshilik), bu "uzatish-qarshilik" yoki tranzistor.
Birinchi amaliy nuqtali-kontaktli tranzistor 1948 yilda Uilyam Bredford Shokli, Jon Bardin va Uolter Xaus Bratteyn tomonidan qurilgan. Transistorlar kontseptsiyasi uchun patentlar Germaniyada 1928 yildayoq amal qiladi, garchi ular hech qachon bunyod etilmagan bo'lsa yoki hech bo'lmaganda hech kim bunyod etgan deb da'vo qilmasa ham. Uch fizik bu ishi uchun 1956 yilda fizika bo'yicha Nobel mukofotiga sazovor bo'ldi.

M ing yillar o‘tib, insoniyatning eng buyuk ixtirolari haqida kitob chiqarilsa, o‘sha paytdagi avlodlar albatta 1947-yilning 16-dekabr sanasini "Axborot erasining boshlanishi" sifatida alohida qayd etishadi. Aynan shu kuni, Bell laboratoriyasi xodimlari - Jon Bardin (1908-1991) va Uolter Bratteyn (1902-1987) ikkita yuqori elektrodlarni, germaniy plastinkasi bilan ishlov berilgan va uchinchi, elektr kuchlanish manbaiga ulangan elektrodga joylashtirilgan maxsus plastinka bilan ulab, ajoyib bir mikroelektron detalni yaratishdi. Ushbu detalda, yuqori elektrodlardan biriga past kuchlanishli tok oqizilganda, ikkinchi yuqori elektrodda nisbatan kuchliroq tok paydo bo‘lar edi. Shu tarzda haqiqatan ham axborotlashtirish erasini boshlab bergan eng muhim vositalardan biri - tranzistor ixtiro qilindi.

Aslida ixtironing ahamiyatini inobatga olsak, uning mualliflari xursandlikdan raqs tushib yuborishlari ham mumkin edi. biroq, Bardinning o‘z ixtirosiga munosabati juda sovuqqon tarzda bo‘lgan. Muhim amaliy ixtiro muallifiga aylangan kuni Jon Bardin kechki payt uyiga kelib, xotiniga "Bugun biz muhim bir narsani ixtiro qildik..." - deb qisqa luqma tashlagan xolos.
Laboratoriyada Bardin va Bratteyn bilan birga ishlagan Uilyam Shokli (1910-1989) ham o‘z hamkasblarining ixtirolari ahamiyatini birinchilardan bo‘lib anglab yetgan va tez orada tajribalarga qo‘shilib, u ham tranzistorlarning va umuman yarimo‘tkazgichlarning keyingi takomillashtirilishida katta xizmat ko‘rsatgan. Keyinchalik, tranzistorni ixtiro qilganlik uchun Bell laboratoriyasi patenti olinganda, Shokli patentda o‘z familiyasi kiritilmaganligini ko‘rib toza xunob bo‘lgan edi. Chunki, patentda faqat Bardin va Bratteynning ism-shariflari qayd etilgan edi xolos. Bundan achchiqlangan alamzada Shokli, tranzistorlarni takomillashtirish yo‘lida yanada chuqur izlanishlar olib bordi va nihoyatda muhim konstruksion o‘zgartirishlar kiritib, mazkur detalning samaradorligini yanada oshirdi.
Tranzistor bu - elektr signallarini kuchaytirish, generatsiyalash yoki kommutatsiyalash uchun qo‘llaniladigan yarimo‘tkazgich mikroelektron detaldir. Yarimo‘tkazgichning o‘tkazuvchanligini o‘zini ham unga berilayotgan elektr signallari vositasida boshqarish mumkin. Tranzistor konstruksiyasiga bog‘liq holda, uning kontaktlaridan bir juftiga berilgan tok yoki kuchlanish boshqa bir kontakt orqali oqayotgan tokni o‘zgartiradi.
Hozirda butun dunyoda ishlab turgan milliardlar turli xil elektron uskunalar - telefonlar, kompyuterlar, bankomatlar, svetoforlar, avtomobillar, televizorlar, radio, nusxa ko‘paytiruvchi qurilma (kseroks) va ho kazo minglab nomdagi elektron asbob-uskunalarning barcha-barchasi ularning sxemalarida qo‘llangan aynan tranzistorlar tufayli ishlamoqda. Shubhasizki, tranzistor - zamonaviy elektronika va mikroelektronikaning yuragi, yoki miyasi desak ham aslo mubolag‘a bo‘lmaydi. Tranzistor shubhasiz ming yillar keyin ham insoniyatning eng buyuk ixtirolari qatorida qolaveradi. Hozirda esa, tranzistorlarning yangi avlodi - atiga bitta atom qalinligida bo‘lgan nanoo‘lchamli transizstorlarni yasash ustida ishlar olib borilmoqda. Xususan, uglerod nanotrubkalaridan tranzistor tayyorlash uchun foydalanish ustida amaliy tajribalar yuritilmoqda.