Bu sahifa navigatsiya: Ishning tadqiqot obekti va predmeti

Maydon tranzistori. Yarim o’tkazgichli va metall nanotrubka asosida maydon tranzistori yaratildi. Ular xona haroratida va o’ta past temperaturalarda ishlaydi. Maydon tranzistorlari – triodlar-elektron qurilmalar bo’lib, ular elektr signallarni kuchaytirishda ishlatiladi. Yarim o’tkazgichli nanotranzistorda valent zona o’tkazuvchanlik zonasidan energetik tirqish man etilgan zona bilan ajratilgan. Oddiy sharoitlarda bu tirqishning mavjudligi tufayli zaryad tashuvchilarning kontsentratsiyasi kichik va nanotranzistor katta qarshilikka ega bo’ladi. Uchinchi elektrodga nanotranzistor sohasida U elektr potensiali uzatilganda elektr maydon hosil bo’lib, energetik zonalarning egilishi o’zgaradi. Bunda valent zonada teshiklar kontsentratsiyasi oshib (mos ravishda elektr o’tkazuvchanlik), u exponensial qonunga bo’ysunadi. Uchinchi elektrod potensiali – 6Bga yetganda teshiklar kontsentratsiyasi maksimal qiymatga erishadi va demak qarshilik minimum nanotranzistor metall nanotranzistorga aylanadi.

Metall nanotranzistorga asoslangan maydon tranzistorini yaratishda elektronlarni nanotranzistor bo’ylab alohida molekulyar orbitalar bo’yicha tunnel o’tkazishdan foydalaniladi. Nanotrubka uzunligining chekli bo’lgani sababli uning elektron spektri uzluksiz bo’lmasdan diskretdir. Alohida sathlar orasidagi masofa nanotranzistor uzunligi ~1mkm bo’lganda ~1meV ga teng. Sathlarning bunday taqsimlanishi nanotrazistor elektr o’tkazuvchanligiga ta’sir etmaydi.