Bt va mdya tranzistorlarida bajarilgan elektron kalit sxemalari va parametrlari. Reja

Stok xarakteristika - bu ma’lum U_ZI =const qiymatlaridagi I_S =f (U_SI) bog‘liqlik. U_SI ortishi bilan I_S deyarli to‘g‘ri chiziqli o‘zgaradi (tekis o‘zgarish rejimi) va U_SI= U_SI.TO‘Y. qiymatiga yetganda (b nuqta) I_S ortishi to‘xtaydi.

P – n o‘tish bilan boshqariladigan maydoniy tranzistorlardan farqli ravishda MDYa–tranzistorlarda metall zatvor kanal hosil qiluvchi o‘tkazgichli sohadan doim dielektrik qatlami yordamida izolyatsiyalangan. Shu sababli MDYa–tranzistorlar zatvori izolyatsiyalangan maydoniy tranzistorlar turiga kiradi. Dielektrik qatlami SiO₂ dielektrik oksidi bo‘lganligi sababli, bu tranzistorlar MOYa – tranzistorlar (metall – oksid- yarim o‘tkazgichli tuzilma) deb ham ataladilar.
MDYa–tranzistorlarning ishlash prinsipi ko‘ndalang elektr maydoni ta’sirida dielektrik bilan chegaralangan yarim o‘tkazgichning yuqori qatlamida o‘tkazuvchanlikni o‘zgartirish effektiga asoslangan. Yarim o‘tkazgichning yuqori qatlami tranzistorning tok o‘tkazuvchi kanali vazifasini bajaradi.
MDYa - tranzistorning chiqish (stok) xarakteristiklar oilasi keltirilgan. Zatvorga ma’lum kuchlanish berilganda  ning ortib borishiga ko‘ra stok toki nol qiymatdan avvaliga chiziqli ko‘rinishda ortib boradi (VAX ning tikka qismi), keyinchalik esa ortish tezligi kamayadi va yetarlicha katta  qiymatlarida tok o‘zgarmas qiymatga intiladi. Tok ortishining to‘xtashi stok yaqinidagi kanalning berkilishi bilan bog‘liq.

XULOSA
Ushbu ish qosh qutbli tranzistorlarni tayyorlash texnologiyasiga bag‟ishlangan bo‟lib, o‟rganish natijasida quyidagilarni xulosa qilaman:
1. Tranzistorlar tayyorlaydigan yarimo‟tkazgichli materiallarni turlari va elektr xususiyatlari organildi.Tranzistorlar kremniy, germaniy va arseniz galliydan tayyorlanishi aniqlandi.
2. Yarimo‟tkazgichli asboblar tayyorlash uchun monokristallardan foydalanishi e‟tiborga olinib, materiallar olish texnologiyasi o‟rganildi.
3. Yarimo‟tkazgichli materiallarni turlari va elektr xususiyatlari o‟rganildi va tranzistorlar uchun qaysi material, hamda kremniyli n-p-nstrukturali tranzistor yaxshi effect berish mumkinligi ko‟rsatildi.
4. Elektron-kovak o‟tish olish texnologiyasini batafsil yoritildi.
5. Tranzistorlarni qotishmali, diffuzion, epitaksial va planar texnologiyasiga asosan olinishi ko‟rsatildi. Planar epiltaksial texnologiya sifatli tranzistorlar yaratishga olib kelish mumkinligi ko‟rsatildi.

Foydalanilgan adabiyotlar
1. S.Z.Zaynobiddinov, A.Teshaboev. Yarimo„tkazgichlar fizikasi. - Toshkent, «O„qituvchi», 1999 y. 2. Teshaboev A., S.Zaynobidinov, I.N.Karimov, P.Raximov, R.Aliev. Yarimo„tkazgichli asboblar fizikasi. -Andijon. 2002
3. Ye.I.Manaev. Osnovo‟ radioelektroniki. - Moskva. 1987
4. Teshaboev A., S.Zaynobidinov, Musaev E., Yarimo„tkazgichlar va yarimo„tkazgichli asboblar texnologiyasi. (o„quv qo„llanma), - Toshkent, 2005
5. N.Turdiev. Radioelektronika asoslari. - Toshkent.1992
6. M.Ye.Levinshteyn, G.S.Simin. Barero‟. - Biblioteka “Kvant”, vo‟pus. 65. M.1987