Bmi ning dolzarbligi bmi ning maqsadi bmi ning obyekti 1 Optik aloqaning qisqacha tarixi

— yorugiik manbayi optik kabelning ko'ndalang kesimiga muvofiq oichamlarga ega boiishi kerak;

— signalni uzoq masofaga uzatish uchun yorugiik manbayi yetarli darajada katta quwatga ega boiishi kerak;

— nurlanish quwatining yorugiik manbayidan chiqishidagi yo‘qotishlami imkon qadar kamaytirish uchun yom giik manbayi optik zichligi bo‘yicha optik tola bilan muvofiqlashgan boiishi, boshqacha aytganda, uning sindirish ko‘rsatkichi optik tolaning sindirish ko‘rsatkichiga yaqin boiishi kerak;

— yom giik manbayining nurlanishi optik tolaning shaffoflik «darcha» laridan biriga mos kelishi kerak. Hozirgi kunda qoilanishda boigan optik tolalarda yomgiikning tarqalish jarayonida yutilishi va boshqa turdagi yo'qotishlar juda kam sodir boiadigan uchta ana shunday «darcha» mavjud. Ularning markazlari quyidagi toiqin uzunliklariga mos keladi: A,=850 nm; A.=1300 nm; A,= 1550 nm;

— axborotlarni talab etilgan tezliklarda uzatishni ta’minlash uchun yom giik manbayi yetarli darajada katta modulyatsiya chastotalarida ishlay olishi kerak;

Yorugiik diodi nomonoxromatik va nokogerent nurlanish manbayi boiib, uni tayyorlashda GaAs, GaAlAs, InGaAsP, GaP, SiC kabi to‘g‘ri zonah yarimo‘tkazgich materiallardan foydalaniladi. GaAs asosidagi yorugiik diodining odatiy tuzilishi ko‘rsatilgan. U n turdagi GaAs qatlami sirtiga rux atomlarini diffuziya qilib, p - GaAs qatlamini shakllantirish va shu tariqa p-n o‘tishli tuzilma hosil qilish y o ii bilan tayyorlanadi. So‘ngra p - GaAs v an - GaAs qatlamlarining tashqi sirtlari mos ravishda aluminiyli va AuGe aralashmali pardasim on metallashtirilgan qatlam lar bilan qoplanadi va ularga oltin simli chiqqichlar o‘rnatiladi. Asbob asosini tashkil etgan kristallning yuza sirti o‘lchamlari 0,3 - 0,5 mm li kvadrat ko‘rinishiga ega bo‘ladi. Tolali optik aloqa tizimlarida nurlanuvchi sirt yuzasi nisbatan kichik o‘lchamli (J=50 mkm) yorug‘lik diodlaridan foydalaniladi. Buning uchun yorug‘lik diodi emitter sohasi (p — GaAs sohasi)ning chetki qismlari protonlar bilan bombardimon qilinadi. Natijada bu qismlar nurlanish sohasini cheklovchi amorf tuzilishli dielektrik qatlamga aylanadi.