B. A. Nazarbayeva

Gaz  fazadan  kimyoviy  o‘tirgizish. 

Bu  texnologiyadan  optik,  optoelektron  va 

elektron  qurilmalarni  tayyorlashda  foydalaniladi.  Datchiklarni  ishlab  chiqarishda 

ko‘pincha optik darchalarni shakllantirish yoki yarim o‘tkazgich tagliklar yuzasiga 

yupqa yoki qalin kristall plenkalarni qoplash zarur bo‘ladi.  

Kimyoviy  o‘tirg‘izish  jarayoni  reaktorda  o‘tkaziladi,  uning  soddalashtirilgan 

sxemasi  4.41-rasmda  keltirilgan.  Tagliklar  statsionar  yoki  aylanuvchi  stolga 

joylashtiriladi,  stolning  harorati  maxsus  qizdirgich  yordamida  talab  qilinadigan 

darajagacha  ko‘tariladi.  Reaktorning  yuqorigi  qopqog‘ida  maxsus  aralashmalarga 

ega bo‘lgan vodorodni kiritish uchun teshik mavjud, ular tagliklarning qizdirilgan 

yuzasi  ustida  ko‘chish  bilan  ularga  o‘tiradi  –  yupqa  plenkani  shakllantiradi.  Gaz 

odatda  reaktorning  markaziy  qismidan  kiritiladi.  Reaktordagi  gazning  o‘rtacha 

bosimi  1  atm  atrofida,  ba’zan  undan  pastroq  bo‘ladi.  Masalan,  lnP  taglikda  1,4 

mkm/s  tezlik  bilan  6000  mkm  qalinlikdagi 

  plenkani  hosil  qilish 

uchun 630

 harorat va 1 atm bosimni ta’minlash talab qilinadi. 

---

242 

 

 

4.41-rasm. Gaz fazadan kimyoviy o‘tirg‘izish jarayonini o‘tkazish uchun 

mo‘ljallangan reaktorning soddalashtirilgan sxemasi