5-расм. Кремний қуёш элементи максимал қувватининг температурага боғлиқ ҳолда ўзгариши: 1 – Si(Pt); 2 – Si. Кремнийли ҚЭларининг чиқиш максимал қувватининг температураига қараб ўзгариш тезлигини таҳлил қилинди. 5-расмда металл нанзарралари (1 – Si(Pt); 2 – Si) бўлган ва бўлмаган кристалл кремний асосли ҚЭ максимал қуввати dPm/dt термик коэффициентининг ҳисобланган боғлиқлик эгри чизиқлари келтирилган. Нанозаррали ва назаррасиз кремний учун dPm/dt катталикнинг қийматлари мос равишда -0,0290 mW/sm2 оC ва -0,0128 -0,0290 mW/sm2 оC га тенг бўлди. Нанозарраси бўлган кремнийли ҚЭ учун dPm/dt нинг қиймати нисбатан юқори (деярли 2,3 марта) бўлиши температуранинг ортиши билан қисқа туташув фототок зичликнинг тез камайиши билан боғлиқ.
6-расмда Т = 250 К да металл нанозарралари (1 – Si(Pt); 2 – Si) бўлган ва бўлмаган кристалл кремнийли ҚЭ максимал қуввати графиклари келтирилган. Металл нанозарралари (1 – Si(Pt); 2 – Si) бўлган ва бўлмаган кристалл кремнийли ҚЭ учун 5- ва 6- расмларда ҳам кўрсатилган Рm(Т) и Рm(U) қийматларида сезиларли фарқ металл нанозарра атрофида электрон зичлигининг тебраниш резонанси туфайли ҳосил бўладиган наноплазмоника эффекти билан боғлиқ бўлса керак. Бу, биринчи навбатда, металл нанозарраларни ўз ичига олган ҚЭларининг асосий фотоэлектрик параметрлари нанозарраларсиз ҚЭлариникига нисбатан юқори бўлса ҳам, чиқиш қувватининг термик коэффициентлари ва самарадорлиги бироз ёмонлашади. Шунинг учун бундай ҳолларда қуёш элементларини совутиш учун махсус тадбирлар талаб қилинади. Иккинчидан, плазмон ҚЭ нинг юқори фотосезгирлиги паст температурада намоён бўлади. Паст температураларда ишлайдиган махсус мақсадлар учун жуда сезгир (плазмон) фотодетекторларни яратишнинг истиқболли имконияти мавжуд деб тахмин қилиш мумкин.
6-расм. Т = 250 К да кремнийли ҚЭ максимал қувватининг кучланишга боғлиқлиги: 1 – Si(Pt); 2 – Si. "Кремнийли структуралар, блоклар ва ясси панелларнинг температуравий хусусиятларини экспериментал тадқиқ қилиш" номли якуний тўртинчи бобда моно ва поликристалли кремнийдан тайёрланган қуёш элементлари, блоклар ва ясси панелларнинг температуравий хусусиятларини экспериментал тадқиқ қилиш натижалари тақдим этилди ва муҳокама қилинди. Яримўтказгичлар физикасининг асосий тушунчалари ва учинчи бобда олинган заряд ташувчиларнинг кинетик параметрларининг ўзгариши асосида температуранинг монокристалл ва поликристалл кремнийли фотоэлектрик структураларнинг фотоэлектрик характеристикаларига таъсири таҳлил қилинди. Шунингдек, биринчи марта температура ва ёритилганлик ўзгарганида қуёш блоклари ва панеллари ўрганилди ва уларнинг ўзига хос хусусиятлари очиб берилди. Моно- ва поликристалл кремнийдан тайёрланган ҚЭ га нисбатан ўрганилаётган структураларнинг турли ёруғлик шароитидаги параметрларини аниқлаш натижалари келтирилган. Жумладан, 7-расмда моно- ва поликристалл кремнийли ҚЭ салт юриш кучланишининг ёритилганликка боғлиқликлари келтирилган.