Андижон давлат университети зиёитдинов жахонгир норбоевич

Предметом исследования являются механизмы влияния кинетических параметров носителей заряда и исходных свойств полупроводниковых р-п-структур на выходные характеристики солнечных элементов на основе моно- и поликристаллического кремния в условиях вариации температуры.
Методы исследования: Использованы методы цифрового приборно-технологического моделирования на основе программных систем “PVlighthouse”, “Sentaurus TCAD”, “Comsol Multiphysics”, “С#9,0” и экспериментально-лабораторные измерительные системы “Sinton Instrument WCT-120” и “Sinton Instrument Suns-Voc”, “EDIBON - Photovoltaic. Units with SCADA: EESFC”, а также программные продукты “STGraphs”, “STTemperature”.
Научная новизна исследования заключается в следующем:
составлены комплексные номограммы изменения электропро-водности, кинетических параметров носителей заряда, ширины запрещенной зоны кремния и фотоэлектрических параметров кремниевых р-п-структур с различными исходными уровнями легирования (10¹⁴÷10¹⁸ см^-3) в зависимости от температуры окружающей среды в диапазоне 250 ÷ 350 К;
впервые определены зависимости эффективной массы электронов и дырок в эмиттерном и базовом слоях кремниевых структур, которые интерпретируются в рамках теории физики полупроводников;
определены особенности изменения ВАХ современных кремниевых фотоэлектрических р-п-структур, ее основных фотоэлектрических параметров при изменении температуры и установлена удовлетворительная взаимная корреляция данных, полученных методами моделированного численного расчета и выполненного эксперимента;
определен физический характер воздействия наночастиц металлов с оптимальными параметрами по форме, размера, плотности распределения и вида металла, внедренных в эмиттерную область кремниевой р-п-структуры на ее температурные характеристики;
научно обоснован новый способ стимуляции умеренной температуры кремниевых фотоэлектрических преобразователей энергии за счет эффективной утилизации теплоты конвекцией воды и ее диффузионного испарения при помощи новых технических решений.