Амалий машғулот мавзуси

Gaz alangasida va plazmaviy metallash usullari.
Gaz alangasida metallash. Gaz alangasida metallashda purkaladigan metall yonuvchi gaz bilan kislorod alangasida suyuqlantiriladi, Siqilgan havo yoki inert gaz yordamida esa purkaladi. Yonuvchi gaz sifatida atsetelen, propan-bo’tan va boshqalar ishlatiladi.
Detalning yuzasini ishlash imkoniyatini tiklashda gazaviy metallash rejimi:
Simning diametri – 1,2…3,0 mm
Simning o’zatilish tezligi – 4,5…6,0 m/min
Siqilgan havo bosimi – 3…5 kg/sm2
Havo sarfi – 0,6…0,8 m3/min
Atsetelen bosimi – 0,04…0,6 kg/sm2
Atsetelen sarfi – 240…850 l/soat
Kislorod bosimi – 2…7 kg/ sm2
Kislorod sarfi – 600…1200 l/soat
Soplodan detalgacha bo’lgan oraliq– 100…150 mm.
Gazaviy metallashda qoplash juda yuqori sifatli chiqadi. Metall va nisbatan bir jinsli zarralarga parchalanadi, legirlovchi elementlar uncha ko’p quyib ketmaydi, qoplamdagi oksidlar qushilmasi 3% dan ortmaydi.
Plazmaviy metallash. Mashina detallarini tiklashning istiqbolli usullaridan biridir. Bu jarayonning mohiyati shundan iboratki, bunda plazma oqimi yordamida suyuqlantirilgan metall plazma xosil qilish va ximoyalashda ishlatiladigan o’sha gazlar yordamida purkalib qoplanadi.
Plazma yuqori temperaturadagi kuchli ionlashgan modda bo’lib, uning tarkibida ko’p miqdorda zaryadlangan zarrachalar bo’ladi.
Plazmani xosil qilish uchun plazmatron deb ataladigan gorelkalardan foydalaniladi. Gazni plazmatronning tor teshigidan (siqiq xolda) elektr yoy razryadini o’tkazib xosil qilinadi, natijada ionlanish darajasi oshadi. Harorat 7000-18000oC gacha bo’ladi
Yuqori temperaturali plazma oqimi yordamida amalda har qanday qiyin suyuqlanadigan materiallar (volfram, tsirkoniy (IV)-oksid, alyuminiy oksidi, shuningdek, karbid, borid, nitrid va boshqa qiyin suyuqlanadigan birikmalarni yuqori tezlikda hamda bir tekis qoplash mumkin. Qoplamani deyarli hamma materiallarga, jumladan shisha plastikaga ham qoplash mumkin.
Plazma xosil qilish va neytral gazlar-argon, azot hamda ularning aralashmalarini ishlatilishi legirlovchi elementlarni kam quyishini va kam oksidlanishini ta‘minlaydi.