Академия наук республики узбекистан

ADABIYOT

1. 
   Andreev V.I., Xvostikov V.P., Kalyujniy N.A. va boshqalar.// MOCVD va sink diffuziya FTP kombinatsiyasi natijasida olingan GaAs/Ge heterostrukturalariga asoslangan fotosellar. 2004. 38-v. V. 3. 369-371-betlar.
   
2. 
   B.N.Zaveryuxin, B.Sapaev, A.S.Saidov // Qattiq eritmalarning epitaksial qatlamlarini olish (Si2)1-x(GaAs)x Si-substratlarda ularning elektr va fotoelektrik xususiyatlari.PZhTF, 2004 yil, 30-jild, №. 2
   
3. 
   B. Sapaev // Qo'rg'oshin eritmasidan suyuq epitaksiya bilan olingan Ge-(Ge2)1-x(GaAs)x(0=
4. 
   Duwez P. Wllens RN Kliment W. Ir.//Galliy antimonid-germaniy psevdobinar tizimidagi metastabil qattiq eritmalar.J.Appl. Fizika, 31, 1500 (1960).
   
5. 
   V.M. Glazov, S.N. Chizhevskaya // Germaniyda eritilgan alyuminiy va indiy atomining termal barqarorligi to'g'risida. DAN SSSR, 1977, jild 129, 869 (1959).
   
6. 
   KE Newman, JD Dow // Sink-blend - metastabil kristalli (GaAs) 1-xGe2x qotishmalarida olmos tartibining buzilishi. fizika. Rev., B, 1983, 27, p. 7495.
   
7. 
   V.M. Glazov, A.M. Evdakimov, L.M. Pavlova // Ge - A3B5 tizimlarida diffuz bo'lmagan kristallanish haqida. DAN SSSR, 1977 yil, 232-jild, N 2, 371-bet.
   
8. 
   AJ Norieka, MN Francabe //(GaAs)1–xSi ning muvozanatsiz qattiq eritmalarini tayyorlash_x.J. Ilova. fizika.45, 3690 (1974).
   
9. 
   Alferov J.I., Zhingarev M.Z., Konnikov S.G., Mokan I.I., Ulin V.P., Umanskiy V.E., Yavich V.S. // Tizimda metastabil qattiq eritmalarni olish va o'rganish . FTP. 1982. 16-v., № 5, bet. 831.
   
10. 
    A. Barnett, MA Rey, A. Rastras, D. Kramer, JE Greene, FM Raccah va LL Abels.// Elektr. Xett., 1982, 18, bet. 891.
    
11. 
    KG Ganden, JL Zilko, AH Eltoukky, JE Greene. J. // Vac. fan. Technol. , 17,441 (1980).
    
12. 
    Alferov J.I., Vartanyan R.S., Korolkov V.I., Mokan I.I., Ulin V.P., Yavich V.S., Yakovenko A.A. // Metastabil qattiq eritmalarning elektrofizik va luminesans xususiyatlari . FTP. 1982. 16-jild, 5-son, 887-890-betlar.
    
13. 
    M.I. Dyakonov, M.E. Reyx. // Qattiq eritmalardagi konsentratsiyaga nisbatan fazaviy o'tish to'g'risida . FTP. 1986. 12-jild, 4-son, 67-72-betlar
    
14. 
    A.I. Gubanov, A.M. Polubatko // Qattiq eritmaning zona tuzilishi . FTP, 1982, 16-jild, N5, bet. 840-843.
    
15. 
    Saidov A.S., Koshchanov E.A., Sapaev B., Kovardakova G.N. Metastabil qattiq eritmalarning suyuq epitaksisi . DAN O'z SSR 1988 yil. 2-son. 26-27-betlar.
    
16. 
    Saidov A.S., Hakimov N.Z., Rysaeva V.A. // Vari-bo'shliqli qattiq eritmalar DAN RUz. 1991 yil. 9-son. 22-bet.
    
17. 
    Saidov A.S., Saparov D.V., Hakimov N.Z., Rysaeva V.A. // Bo'shliqli qattiq eritmalarning ba'zi elektr xususiyatlari vismut eritmasidan yetishtirilgan. DAN RUz. 1996 yil. № 1-2. 31-32-betlar.
    
18. 
    Saidov A.S.// Qattiq eritmalarning suyuq fazali epitaksisi o'zbek fizika. Jurnal. 1993 yil, № 4 bet. 48-51.
    
19. 
    B. Sapaev, M.S.Saidov va boshqalar// Qattiq eritmalar cheklangan hajmdagi qalay eritmasidan olingan - eritish. FTP. 2004 yil, 38-jild, №. o'n bir.
    
20. 
    MS Saidov, AS Saidov, // LPE (IV)1-x(III-V)x (IV)1-x(II-VI)x qattiq eritmalarning o'sishi. ning ishlari1Xalqaro konf. Epitaksial kristall o'sishi bo'yicha.Budapesht,1990 yil 17 aprel.
    
21. 
    Saidov A.S., Saparov D.V., Rysaeva V.A. // Yangi turdagi gradusli qattiq eritmalarni olish . 1- Xalqaro konf. “Yangi materiallar va qurilmalar”, Toshkent, 1994. 62-bet.
    
22. 
    Saidov A.S., Saparov D.V., Rysaeva V.A. // Bo'shliqli qattiq eritmalarni olish usuli . Avtor. sertifikat 11 dekabrdagi N 9501085-son1995 yil.
    
23. 
    Saidov A.S., Saparov D.V., Rysaeva V.A. // Yarimo'tkazgichli qattiq eritmalarni sintez qilish sharti DAN RUz. 1996. No 6. 28-30-betlar.
    
24. 
    A.Sh. Razzoqov // Dissertatsiya. raqobat uchun uch. Art. samimiy. fizika va matematika Fanlar. Toshkent, FTI, 1998 yil.
    
25. 
    Kolyujnaya G.A. , Tretyakov D.N. Vorshevskiy A.S. Voypolin A.A. // "Yarimo'tkazgichlar bo'yicha tadqiqotlar Yangi yarimo'tkazgich materiallari" "Kartya Moldovenska" nashriyoti, Kishinyov, 1964, 123-bet.
    
26. 
    Xarsi M.,Bertoti I.// jismoniy holat. Solidi, 1965, 11-v., pk 135.
    
27. 
    VA DA. Ivanov va boshqalar.// ZnSe, Ge, GaAs, GaP asosidagi geterobog'lanishlarni olish va xossalari. Izv. Vuzov, Fizika, 1977, N2, 82-87-betlar.
    
28. 
    Mach R. ea // Epitaksial o'sish va o'tkazuvchanlik xususiyatlari hetero-birikmalar. fizika. St. Sol. (a). 1970, 2, N4, 701-709-bet.
    
29. 
    Burdiyan I.I. Makeichik A.I.// Tiraspol pedagogika institutining ilmiy yozuvlari. T.G. Shevchenko. Min. Taroziga soling. MSSR, 1966 yil, №. 16, 21-bet.
    
30. 
    Voitsexovskiy A.V. Kesamanli F. P. Mityurev V. K., Rud Yu. V.// “Ukraina fizikasi jurnali”, 1965, jild.
    
31. 
    Voitsexovskiy A.V. // “Galliy arsenid asosidagi to‘rt komponentli yarimo‘tkazgichli qotishmalarning xossalarini olish va kompleks o‘rganish” nomzodlik dissertatsiyasi. GPI, Kiev, 1965 yil.
    
32. 
    Goryunova N.A. // Kompleks olmosga o'xshash yarim o'tkazgichlar. M: Sovet radiosi, 1968 yil.
    
33. 
    Saidov A.S. // “Yarim o‘tkazgichlar fizikasining fundamental va amaliy muammolari” Ilmiy-metodik konferensiya materiallari, 20-21 dekabr, Andijon, 2005 yil. Sahifa 181-183.
    
34. 
    SaidovSA, Dadamuhamedov S. va boshqalar. // Suyuq fazali epitaksiya tuzilmalar. Epitaksial kristall o'sishi bo'yicha 1-xalqaro konferentsiya. 1990 yil 1-7 aprelBudapesht, p. 208-210.
    
35. 
    Saidov A.S. // Qattiq eritmalarning suyuq fazali epitaksisi . UFJ, 1993 yil, N 4.
    
36. 
    Baxadirxonov M.K., Sirozov S., Arziqulova M.R., Norqulov N. // Sodiqov U.X. Kremniydagi oltingugurt atomlari bilan nopoklik atomlari (Zn, Cd) o'rtasida molekula shakllanishi. III-Milliy konferensiya materiallari, Toshkent, 2002 yil 22-23 oktyabr.
    
37. 
    D. R. Xartri // Proc. Kemb. Fil. soc. 1928, 24, 89-xxx.
    
38. 
    V. Fok, Z. Fizik 1930, 61, 126-xxx
    
39. 
    N. U. Ashkroft va N. D. Mermin //Qattiq DavlatFizika.(Saunders College Printing, AQSH, 1976).
    
40. 
    LH Tomas // Proc.Camb. Fil. soc. 1927, 23, 542-548.
    
41. 
    E.Fermi, // Rend.Akkad. Lincei 1927, 6, 602-607.
    
42. 
    PAM Dirac // Proc. Kemb. Fil, Soc. 1930, 26, 376-385.
    
43. 
    Rohlfing JP va Louis SG // HgSe ning kvasipartikullar tarmoqli tuzilishi. fizika. Rev. B 57, R 9392 (1998).
    
44. 
    Perdew JP // Qattiq jismlarning elektron tuzilishi. Akademik Verlag,Berlin. 1991 yil.
    
45. 
    Sobolev V.V., Nemoshkalenko V.V. // Qattiq jismlar nazariyasida hisoblash fizikasi usullari. Kiev, Nauka Dumka, 1988 yil.
    
46. 
    V. Kohn. // Vah. Mod. Phys., 71:1253, (1998), P. Hohenberg vaV. Kohn//Bir jinsli bo'lmagan elektron gaz. fizika. Rev. b,bitta36, 864 (1964).
    
47. 
    RO Jons va O. Gunnarsson //Zichlik funksional formalizmi, uning qo'llanilishi va istiqbollariRev. Mod. fizika,61:689, (1989).
    
48. 
    D. Mearns. //Fizik va Kohn-Sham Fermi sirtlarining tengsizligi fizika. Rev. b,38, 5906 (1988).
    
49. 
    Kittel G. // Qattiq jismlar fizikasiga kirish, 7-nashr.- NY Wiley, 1995 yil.
    
50. 
    Chelkowsky JR Louis SG // Haqiqiy materiallarning kvant nazariyasi. Klyuver, 1996 yil.
    
51. 
    Jons HM // Brillouin zonalari nazariyasi vaelektron Shtatlarkristallarda.Amsterdam, Shimoliy Gollandiya, 1962 yil.
    
52. 
    Willatsen M., Cardona M. Christmensen N. // Fizik. Rev. B, 501, (195).
    
53. 
    Tromp HT va boshqalar. //Kabina₆: Spin Electronics uchun yangi yarim o'tkazgich material. fizika. Rev. Lett. 87, 016401 (2001 yil).
    
54. 
    Slater JC // Kvant kimyosidagi yutuqlar, 1 35, (1964).
    
55. 
    Kozlov V.A., Kozlovskiy V.V. // Protonlar va alfa zarralari bilan nurlanishda radiatsiya nuqsonlari bo'lgan yarim o'tkazgichlarni doping qilish. FTP, 2001 yil, 35-jild, №. 7. 769-795-betlar.
    
56. 
    Mamontov A.P., Peshev V.V. .// Qusurlarning zaryad holatining chuqur markazlarning to'planishiga ta'sir qilish darajasining orqaga qaytish atomlari energiyasiga bog'liqligi. FTP. 1771 yil 17 (1983 yil).
    
57. 
    XONIM. Saidov // Silikon qattiq eritmalar va ularni kaskadli quyosh batareyalari uchun qo'llash. Quyosh muhandisligi, N 5-6, 57 (1997).
    
58. 
    Umanskiy Ya.S. Finkelshteyn B.N. va boshqalar. // Fizikaviy materialshunoslik. M. 1955. 122-bet.
    
59. 
    Marina L.I. Nashelskiy A.Ya. Kolesnik L.I. // A3B5 yarimo'tkazgichli fosfidlar va ular asosidagi qattiq eritmalar. M. Metallurgiya, 1974, 45-bet.
    
60. 
    Delin A. // II-IV yarimo'tkazgichlarni hisoblashning birinchi tamoyillari b-HgS: Metall yoki yarim o'tkazgich. fizika. Rev. B, jild. 65, 153205 (2002 yil).
    
61. 
    S. J. Karajanov, L.Lew, Yan Voon // II-IV sink aralashmasi yarimo'tkazgichlarining tarmoqli parametrlarini Abinitio tadqiqotlari.// FTP, 2005, jild 39, jild. 2.
    
62. 
    Kuznetsov A.Yu., Sobolev A.B. va boshqalar.// CsCe, CsBr.// FTT, 2005, jild 47, № ning elektron tarmoqli tuzilmalari va plastik xususiyatlarining birinchi tamoyillaridan hisob-kitoblar. o'n bir.
    
63. 
    OKAnderson// Band nazariyasida hisoblash usullari. p. 332
    
64. 
    B. Yoxansson // Filos. 30,469 mag. (1974).
    
65. 
    Skriver HL // LMTO usuli. Springer Verlag,Berlin, 1984 yil.
    
66. 
    Saidov A.S., Saparov D.V., Hakimov N.Z., Rysaeva V.A. // Bo'shliqli qattiq eritmalarning ba'zi elektr xususiyatlari vismut eritmasidan yetishtirilgan. DAN RUz. 1996 yil. № 1-2. 31-32-betlar.
    
67. 
    Saidov A.S., Saparov D.V., Hakimov N.Z., Rysaeva V.A. // Bo'shliqli qattiq eritmalarning ba'zi elektr xususiyatlari vismut eritmasidan yetishtirilgan. DAN RUz. 1996 yil. № 1-2. 31-32-betlar.
    
68. 
    Hall RNJ // Elektrochem. soc. 1963, v. 110, No 5. bet. 385-389.
    
69. 
    Rubenstein MYJ// Elektrochem. soc. 1962, v. 109, b. 65.
    
70. 
    Saidov M.S., Koshchanov E.A., Dadamuhamedov S., Saidov A.S.// GaP ning suyuq qalay va galliy erituvchilarda eruvchanligi. Izv. AN O‘zSSR, 1982, 3, 37-40-betlar.
    
71. 
    Nelson H. // Suyuq staqtdan epitaksial o'sish va uni tunnel va lazer diodlarini ishlab chiqarishda qo'llash. RCA, Rev. 1963, v. 24, b. 603.
    
72. 
    Panish MB, Sumski S. // fazaviy tadqiqotlar va eritma o'sishining elektr xususiyatlari - doping . J. Ilova. Fizika, 1970, 41, 7, 3195.
    
73. 
    Panish MB,Haushi I., Sumski S. // Xona haroratida 2300 a/sm dan past bo'lgan er-xotin heterostrukturali in'ektsiya lazerlari. Ilova. Phys.lett., 1970, 16, 18, 326.
    
74. 
    Rasztoory F. E va boshqalar. // Germaniy qo'shilgan galliy arsenid. J. Ilova. Fizika, 1970, 41, 264.
    
75. 
    Dohahue JA, Mindem HT // Suyuq fazali epitaksiya uchun yangi texnika. J. Krist. O'sish, 1970, 7, 8, 821.
    
76. 
    Tosh. LE, Madden K. va boshqalar. // Suyuq fazali qatlamlar uchun tizim. J. Elektron mater. 1970, 1, 119.
    
77. 
    Sulaymon R. // Yuqori sifatli eritma o'sishining elektr va fizik xususiyatlariga ta'sir qiluvchi omil ,-Jn: Proc. 2. Jnt. Simp. Og Gallium Arsenid, Dallad, 1969, 11-17. Galiy ArsenidLondon, 1969 yil.
    
78. 
    Shin KK Woodal JM e. al. // Suyuq fazali epitaksiya bilan o'stirilgan GaP pn birikmasidan samarali yashil elektroluminesans. J. Ilova. Fizika, 1968, 39, 2962.
    
79. 
    Wodall JM, Rupprecht H., Peuter N // Suyuqlik - Ga Al Asning fazali epitaksial o'sishi. J. Elektrokimyoviy. Soc., 1969, V. 116, N6, 899.
    
80. 
    Deilch RN // Vaqtinchalik issiqlik o'tkazuvchanligi ostida GaAs ning suyuq fazali epitaksi o'sishi. J. Crystal Growth, 1968, V. 2, N1, p. 69.
    
81. 
    Tiller WA // Kristal o'sishi uchun talablarning nazariy tahlili, 1968. V.2, N1, p.69.
    
82. 
    Panish MB, SumskiSA// III - V birikmalarining eritma epitaksisi uchun kapillyar suyuqlik plyonkasi texnikasi. J. Kist. Crowth, 1971, 11, 1, 101.
    
83. 
    Alferov Zn.I. Andreev VB va boshqalar. Hammasi.// Al Ga As qattiq eritmalarining epitaksial qatlamlarini va AlAs-GaAs tizimidagi heterobirikmalarni tayyorlash yakuniy tadqiqoti.Kristalva Texnika, 1975, 110, № 2, 103.
    
84. 
    Alferov J. I., Andreev V. M., Garbuzov. D.Z. va boshqalar // Geterounksiyalardagi fizik jarayonlar. Butunittifoq konferensiyasi ma’ruzalarining qisqacha mazmuni, Kishinev, 1979, 53.
    
85. 
    Potemski RM, Wocdall JM // Suyuq fazali epitaksial o'sishni to'xtatishning yangi usuli. J. Elektrokimyoviy. Soc. 1972, 119, 277.
    
86. 
    V. I. Andreev, L. Dolchinov, D. N. Tretyakov // Yarimo'tkazgichli qurilmalar texnologiyasida suyuq epitaksiya. Moskva, "Sovet radiosi", 1975, 53.
    
87. 
    Maronchuk. I. E., Pesotskiy G.S., Puxov Yu. G., Sushko B. I., Tuzovskiy A. M. // To'plam: Yarimo'tkazgich kristallari va plyonkalarining o'sishi va sintezi jarayonlari (II qism), Novosibirsk, Nauka, 1975 ,dan. 281.
    
88. 
    Maronchuk I. E., Pesotskiy. G.S., Puxov. Yu.G., Skanovskiy. I. I. Avt. sertifikat 22 martdagi 521680-son1976 yil.
    
89. 
    Maronchuk I.E., Orel. V.I., Pesotskiy. G.S., Puxov. Yu.G., Tuzovskiy. A. M. Avt. sertifikat 22 martdagi 521681-son1976 yil.
    
90. 
    Masenko V. D. // Dissertatsiya. IQ nurlanish manbalari uchun epitaksial tuzilmalarni ishlab chiqarishning sanoat texnologiyasini tadqiq qilish va ishlab chiqish. DSP. Svetlovodok, 1978 yil.
    
91. 
    Lisovenko V. D. Masenko. B. P., Sergienko A. S., Sumko B. I. Avt. sertifikat № 95288.
    
92. 
    Otsubo M, Mini H. // Xrom - Suyuq fazali epitaksiya bilan o'stirilgan yarim izolyatsion galiy arsenid kristallari, - Yaponiya, J. Ilova. Fizik., 1974, 13, No 10, S. 1655 - 1656.
    
93. 
    Hasegava X., Kojima K. // Oron - qo'shimcha suyuqlik - epitaksial faza salbiy Qarshilik xususiyatlariga ega qatlamlar, - Yaponiya, J. Appl. Fizik., 1977, 16, No 7, S. 1251 - 1252.
    
94. 
    Kajima K. Hasegava H. // Temir.Doping tomonidan Oron-Doped suyuq fazali epitaksial GaAs. fizika. stat. Sol. (a) 1980, 62, 2, b. 673-679.
    
95. 
    Aleksandrov L. N. // Qattiq qatlamlarning shakllanishi va tuzilishi kinetikasi, Novosibirsk, Nauka, 1972, 145-157-betlar.
    
96. 
    Vatyrev N.I., Ufimtsev V.B., Chukichev M.V. // GaAs substratlarida InGaP qattiq eritmalarining epitaksial o'sishi jarayonida oraliq qatlamning shakllanishi. Kristallografiya, 1979, 24, 338-342.
    
97. 
    Astler MG, Rowland MC // AlAs ning yadrolanishi va o'sishi (111) GaP. J. Crystal Growth, 1977, 27, 142-147.
    
98. 
    Doi A. Hirao M. Ho R // O'tkazuvchanlik konstantalari sovutish tezligi ostida LPE qatlamlarining o'sishi Ga Al sifatida kristall birikmasini yaxshilash. yapon. J. Ilova. fizika. 1978, 17, 3, 503-507.
    
99. 
    Mokritskiy V.A. // Kristallanish muhitining o'ta to'yinganligi epitaksial qatlamlarning strukturaviy mukammalligiga ta'siri. 8-kitobda Kristal o'sishi bo'yicha xalqaro konferentsiya. Kengaytirilgan tezislar jild.111, M. 1980, 394-395.
    
100. 
     Koshchanov E.A. Kompensatsiyalangan bir hil Al Ga As (0
101. 
     Peka G.P. Kovalenko V.F. Kutsenko V.I. "Yarimo'tkazgichli materiallar va qurilmalarning parametrlarini nazorat qilishning lyuminestsent usullari". Kiev, "Texnika" 1986 yil.
     
102. 
     M. Metfessel, M. Sheffler. Physica B, 172, 175 (1991).
     
103. 
     P. Hohenberg vaV. Kohn//Bir jinsli bo'lmagan elektron gaz.fizika. Rev. B 136, 864 (1964).
     
104. 
     V.Kohn va LJ Sham //O'z-o'zidan mos keladigan tenglamalar, shu jumladan almashinuv va korrelyatsiya effektlari fizika. Rev.140, A1133 (1965).
     
105. 
     S. X. Vosko, L. Uilk, M. Nusayr. Kanadalik J. Fizika, 58, 1200 (1980).
     
106. 
     V. Gavrilenko, A. Grexov, yarim o'tkazgichlarning optik xususiyatlari. Qo'llanma, Kiev, 1987 yil. 243-250-betlar.
     
107. 
     Y. Piter, M. Kardona. Yarimo'tkazgichlar fizikasi asoslari. Moskva. Fan. 2003 yil 71-bet.
     
108. 
     MEN VA. Viklyuk, V.G. Daybuk, S.V. Zolotarev // Tartibsiz bulk va epitaksial yarimo'tkazgichli qotishmalarning optik xususiyatlari GaxIn1-xP. FTP, 36(8), 925-931-betlar (2002).
     
109. 
     L. Xedin //Elektron-gaz muammosiga tatbiq etilgan holda bir zarrali yashil funksiyani hisoblashning yangi usuli..fizika. Rev.139, A796 (1965).
     
110. 
     MS Hybertsen va SG Louie // Kvazizarralarning birinchi tamoyillari nazariyasi: yarimo'tkazgichlar va izolyatorlardagi tarmoqli bo'shliqlarini hisoblash. fizika. Rev. Lett.55, 1418 (1985).
     
111. 
     LX Benedict, EL Shirley va RB Bohn // Olmosda optik yutilish nazariyasi, Si, Ge va GaAs, Fizik. Rev. B57, R9385 (1998).
     
112. 
     M. Willatzen, M. Cardona va N. E. Kristensen // Relyativistik elektron tuzilishi, samarali massalari va kubik kremniy karbidining (3C-SiC) inversiya-assimetriya ta'siri. fizika. Rev. B 51, 13150 (1995).
     

113. K. Kim, R. Valter, L. Lambrecht, B. Segall va MV Shilfgaarde// GaN va AlN da samarali massalar va valentlik-band bo'linishlari. fizika. Rev. B 56, 7363 (1997).