Абу райхон беруний номидаги тошкент давлат техника университети

Ишни бажариш учун ўқув топшириғи ва услубий кўрсатмалар
Топшириқ- Multisim лаборатория мажмуасини ишга туширинг ва MS12 муҳитнинг иш майдонида умумий эмиттерли (УЭ) биполяр транзисторнинг кучайтиргич поғонаси(каскади)ни синаш учун схемани йиғинг (8-расм), схема элементларининг параметрларини ҳисоблаш усуллари билан танишинг ва уларни тузувчи (компонентлар)нинг диалог деразаларига (окна) ўрнатинг.
У
мумий эмиттерли VT1 транзисторли кучайтиргич схемасига, (2N3906 турдаги ва параметрлари: U_K.max = 40 В; I_K.max = 0,2 А; h_21Э = 30…300; f_max = 300 МГц; P_K = 0,625 Вт бўлган) R1 и Rк потенциомерлар, Rs, Re ва Rn доимий резисторлар, С1…С3 сиғимлар, А қайта улагич ва В калит уланган.
Энергия манбаи сифатида ЭЮК E₂ = 12 В бўлган доимий кучланиш генераторидан фойдаланилган, кириш сигналининг манбаи сифатида эса- E1 синусоидал кучланиш генератори ишлатилган. Синов натижаларини визуаллаштириш учун схемага А1 ва А2 амперметрлар, V1 и V2 волтметрлар, икки каналлик XSC2 осциллограф ва ХВР1 плоттер (кучланиш кучайтиргининг АЧХ ва ФЧХ характеристикаларини тузувчи) лар киритилган.
1.1.Схема элементлари параметрларини ҳисоблашни қуйидаги муносабатлар орқали амалга оширамиз:
R_K  E₂/I_K.max = 12/(0,2) = 60 Ом  коллекторнинг қаршилиги ( эмит­тернинг тескари алоқасисиз (А қайта улагич ўнг ҳолатда турганда, В калит очиқ ҳолатда, 8-расмга қаранг));
U_Kп  E₂/2 = 6 B; I_Kп  (E₂  U_Kп)/ R_K = 6/60 = 100 мА  сокин (тинч) ҳолатдаги коллектордаги доимий кучланиш ва ток;
I_Бп _.I_Kп/h₂₁ = 100/135  0,75 мA  сокин ҳолатда база токи, бунда h₂₁ = 135  2N3906 турдаги транзисторнинг ток узатиш коэффициентининг ўртача қиймати;
база занжиридаги R1 резисторнинг қаршилиги, бунда U_Бп  0,65 В кремнийли ва U_Бп _. 0,3 В германийли транзисторлар учун;
R_e  (0,1…0,2)E₁/I_Эп = 0,212/0,075 = 32 Ом  эмиттер занжиридаги Re қаршилик, где I_Эп  I_Кп  0,75 мА – Re резистор улангандаги коллектор токи.
R₂ = (0,3…0,5)R₁  талаб этилаётган сокин кучланишни олиш учун, база ва кучайтиргичнинг умумий нол нуқтаси орасига уланган резисторнинг қаршилиги:
.
Айтайлик: R₂ = 6 кОм.
Умумий эмиттерли ва эмиттерли турғунловчи (стабилизацией) учун таклиф этилаётган режим: U_Кп  (2/3)E₁ = 8 В и U_Эп  (1/3)E₁ = 4 В ва буни R1, Rк потенциометрларнинг ва Rе резисторнинг қаршилигини ўзгартириш билан ўрнатиш мумкин (8-расмга қаранг).
Салбий тескари алоқа (ООС)нинг ўзгарувчан ток тузувчига таъсирини йўқотиш учун Rе резистор C2 сиғим билан шунтланади (қисқа туташтирилади), кучайтирилаётган сигналнинг паст частотали тузувчиси учун сиғим қаршилиги Re резистор қаршилигидан бир тартибга кам бўлиши лозим. C2 = 8 мФ деб қабул қилсак, унда конденсаторнинг қаршилиги C2 Х_С2  20/f га тенг бўлади .
Иш ҳисоботи варағига 8-расмдаги схеманинг нусхасини кўчиринг.
1.2. u_вх кириш кучланишининг частотаси f = 1 кГц, Е1 манбанинг кириш қаршиликлари R_s = 0 и R_s = 100 Ом, ва юкламанинг қаршиликлари R_n = 1 МОм и R_n = 1 кОм бўлганда u_чиқ(u_кир) кучланиш бўйича амплитуда характеристикалари оиласини (нуқталар бўйича) ўлчанг ва тузинг. 1.-жадвалга u_кир.кучланишнинг катта қийматларида чиқиш кучланишининг бузилиш характерини осциллограф экранида кузатиб, Е1 манба ЭЮК ининг босқичма-босқич ўзгаришида, АС режимда ишлаётган V2 волтметрнинг кўрсаткичларини ёзиб олинг.
Эътибор беринг, VT1 транзисторнинг колекторидан олинаётган u_чиқ чиқиш кучланиши, u_кир кириш кучланишига қарамағқарши фазада бўлади (9-расм).
1.-жадвал

Rs, Ом	Rn	При Е1, мВ: