А. С. К а р и м о в, М. М. М и р а й д а р о в, F. Р. Ш о ё к у б о в

V I Л
транзистор ва VT
2
транзистордан иборат. VTX транзистор- 
нинг А, В , С киришлариг а 0 ёки 1 кийматга эга булган сиг- 
наллар берилади. „
0
“ деб туйиниш режимида ишлаётган тран- 
зисторнинг U K3 куч л анишиг а тенг булган кучланиш киймати 
тушунилади. Агар схеманинг бирор киришига „0“ сигнал бе- 
рилса, база манба кучланиши Ек билан резистор R
б1
оркали 
улангани учун транзистор 1/7, туйиниш режимиг а утади. Б у н ­
да 
/ К1
коллектор токи катта эмас 
ва 
/ б2
токига тенгдир. Обэ2 к у ч ­
ланиш эса V T 2 транзисторни иш- 
га тушириш учун егарли эмас.
Элементнинг чикишидаг и к у ч л а ­
ниш Е к га, яъни чикишдаги сиг­
нал „ Г га тенгдир. Агар кириш 
зан жи рл ари н ин г барчасига „
1
“ га 
тугри келадиган сигнал, яъни Ек 
тенг булган кучланиш берилса,
V T , транзистор инверсион р е ­
жимда ишлай бошлайди. Тран- 
зистордаги коллектор ва эмит-
тернинг вазифалари ^ з ар о урин 
15,73-рас .
29 — ^920 
19
www.ziyouz.com kutubxonasi

---

а л ма ша д и . Инверсион р е ж и м д а транзисторнинг узатиш к о э ф ­
фициенти ва эмиттер токининг вазифасини б ажа рувч и коллектор 
токи кичикдир. Резистор R
61
ва I/ Т
2
транзисторнинг эмиттер 
у ти ши да н утаётган ток 1/7
2
транзисторни туйиниш режимиг а 
у тк а за д и. Чикиш кучланиши транзистор VT2 нинг О кэ куч- 
л ан и шиг а , яъни чикишдаги сигнал „0“ га тенгдир. ТТМ ти- 
пидаги схемалар уртача тезк орл ик ка эгадир. Улардаги сиг- 
налнинг кечикиш вакти 
10 — 30 нс га тенг. ТТМ типдаги 
з^ар бир элементнинг чикишига 
10
тадан мантикий с хема ул аш 
мумкин. ТТМ элементлари ми кросхемаларда бажа рил г ан булиб, 
б елгиланишидаги ЛИ харфл а р унинг функционал вазифасини 
мантикий „ХАМ". Бу элементлар манба кучланиши 5 вольт 
б у лг а н д а ишлайди. Улар учун „1“ нинг киймати 
2,4 В;
„ 0 “ нинг киймати U 0 = 0,4 В.
Эмиттер богланишли мантикий (ЭБМ) элементларнинг иш- 
л аш принципы кириш кучланиши бироз узгарганда токлар- 
нинг кайта уланишига асосланади. “Ё К И “ ёки „ЁКИ — Й У К “ 
операциясини бажа рувч и ЭБМ типидаги элементнинг ишлаши- 
ни куриб чикамиз ( 1 5 . 7 4 - раем). Кириш сигналлари А ва В 
транзистор л ар I/ Т 2 ва V I г нинг киришига берилади. Транзис- 
т ор ла р VT2, V T 3 ва V I
4
д ифф е р ен ци а л кучайтиргични ^осил 
цилади ва схеманинг кириш каршилиги катта булишини таъ- 
минлайди. Транзистор V Tb токнинг баркарор були ши н и таъ- 
минлайди. Транзистор 1/7
4
нинг базасидаги узг ар ма с таянч 
к уч л а н ишни транзистор VT&
ва ка ршиликла р ( R lt R 8) даги к у ч ­
л ан иш булгичларни х;осил килади. Д и о д л а р VD, ва V D 2 таянч 
куч л ан ишин и нг температуравий баркарорлигини таъминлаб б е ­
ради. Транзисторлар