KIRISH
Mavzuning dolzarbligi:
Tranzistorlar ikkita
p-n
–o‘tish xossalariga
asoslangan bo‘lib,
p-n-p –
yoki
n-p-n –
stukturali bo‘ladi. Ular tayyorlanishiga qarab
yassi yoki nuqtaviy bo‘lishi mumkin. Hozirgi vaqtda asosan yassi tranzistorlar
ishlab chiqariladi. Tranzistorlar ishchi chastotasiga qarab past (3+30 MГц), yuqori
(30+300 MГц) va o‘ta yuqori (300 MГц dan yuqori) chastotali bo‘lishi mumkin.
Tranzistor qanday quvvatda ishlay olishiga qarab kichik (0,3 Vt gacha), o‘rta (0,3-
3 Vt) va katta (3 Vt dan yuqori) quvvatli bo‘ladi.
Yarim o‘tkazgichli yassi transistor uchta –
emitter, baza va kollektor
deb
ataluvchi sohalardan iborat bo‘lib, ular orasida ikkita
p-n
- o‘tish mavjud. O‘rtadagi
sohaning
elektr
o‘tkazuvchanligiga
ikki
chetki
sohalarning
elektr
o‘tkazuvchanligiga qarama-qarshi bo‘ladi. Tranzistor aktiv rejimda ishlayotganda
bitta
p-n
– o‘tishga to‘g‘ri kuchlanish berilib, ikkinchi
p-n
-o‘tishga teskari
yo‘nalishda kuchlanish berilgan bo‘ladi.
a
rasmda
p-n-p
strukturaga ega bo‘lgan
yassi tranzistorning aktiv rejimda tashqi zanjirga ulanish shemasi ko‘rsatilgan.
Emitter o‘tishga qo‘yilgan to‘g‘ri kuchlanish uncha katta bo‘lmaydi.
Kollektorga yetarlicha katta teskari kuchlanish qo‘yiladi.
p-n-p tranzistorda emitter
– baza orasidagi to‘g‘ri kuchlanishning bir oz orttirilishi natijasida baza sohasiga
kiritilgan kovaklarning bir qismi bazada rekombinatsiyalanadi, bir qismi esa baza-
kollektor o‘tishiga yetib boradi. Bu kovaklar baza- kollektor o‘tishidagi teskari
tokning ortishiga olib keladi. Kollektor o‘tishga
va unga ketma-ket ulangan
qarshilikka beriladigan kuchlanish ancha katta qiymat ga ega. Demak, transistor
yordamida kelayotgan kichik quvvatli signalni katta quvvatli signalga aylantirish
mumkin ekan. Bu – transistorlarni kuchaytirgich sifatida ishlatish mumkinligini
ko‘rsatadi.
Yarim o‘tkazgichli tranzistorlarning ishlashini vakuumli uch elektrodli
elektron lampalarga qiyoslash mumkin.
Bunda emmiter katod rolini, o‘ynaydi,
to‘rning o‘rnida esa baza bo‘ladi. Emmiter, baza va kollektor sohalarining qaysi
biri kirish va chiqish zanjirlari uchun umumiy bo‘lishiga qarab, tranzistorning
zanjirlari uchun umumiy bo‘lishiga qarab, tranzistorning zanjirga uch xil ulanishi
mavjud: umumiy emitter,
umumiy baza, umumiy kollektor.
Kovoklarning emmiterdagi
I
эр
toki ularning kollektordagi
I
кр
toki bilan
bazadagi
I
бр
rekombinatsion toklarining yig‘indisiga teng, ya‘ni:
I
эр
=
I
бр
+
I
кр
.
Bazadagi rekombinatsion tok qancha kichikbo‘lsa, tranzistor kollektoridagi
tok shuncha katta bo‘ladi. Baza toki juda kichik bo‘lishi
uchun baza sohasida
kovaklar deyarli rekombinatsiyalanib ulgurmasligi kerak. Buning uchun baza
sohasi juda yupqa (~1 mkm) qilib yasaladi. Emmitterdan bazaga o‘tayotgan
kovaklarning qancha qismi kollektorga yetib borishini ko‘rsatadigan
=
koeffisent
tranzistorning effektivligi
deb ataladi.
Tranzistorlar faqat elektr signallarini kuchaytirishga hizmat qilmay, balki
ularni generatsiyalashga ham mo‘ljallangan. Tranzistorlardan foydalanish integral
elektronikaning
rivojlanishiga
olib
keldi.
Integral
elektronikada
yarim
o‘tkazgichning bitta kristalida bir vaqtning o‘zida ko‘plab
miqdor tranzistorlar va
ular orasidagi bog‘lanishlar yasalib, ular yetarlicha tugal integral mikrosxemadan
iborat bo‘ladi.
Yarim o‘tkazgichli diod va tranzistorlar yuqorida ko‘rib o‘tilgan lampali diod
va triodlarning barcha vazifalarini bajara oladi. Lekin yarim o‘tkazgichlar asosida
ishlovchi qurilmalarning electron lampalarga qaraganda qator afzalliklari mavjud.
Vakuum zarur bo‘lmasligi, diod va tranzistorlarning ishlash muddati uzoq
bo‘lishi, o‘lchamlarining esa kichik bo‘lishi, mexanik
jihatdan juda mustahkamligi,
cho‘g‘lantirish uchun energiya sarf bo‘lmasligi, ishlab chiqarishning arzonligi
tufayli yarim o‘tkazgichli qurilmalarga katta e‘tibor berilmoqda. Shuning uchun
radiotexnikada electron-hisoblash mashinalarida, samalyotsozlik, kosmanavtika va
boshqa sohalarda electron lampalar o‘rnini yarim o‘tkazgichli
qurilmalar
egallamoqda.
Do'stlaringiz bilan baham: