Морфологии и фотоэлектрические свойства твердого раствора (GaAs)1-x 1-х(Ge2)x на подложках GaAs методом жидкофазной эпитаксии. Морфологические исследования показали, что наблюдаемые наноконусы на поверхности эпитаксиальных слоев (GaAs)1-х(Ge2)x могут быт связаны с примесными атомами Ge 282,5 Kb. 1