Qidiruv: подложках

Осаждение материала на подложке
- Microsoft Word уп-пленки doc
Подложка
- Т. В. Свистова основы микроэлектроники учебное пособие
Номер подложки
- технологические вопросы изготовления полупроводниковых пленок с аномально высокими фотонапряжениями
Механизм проникновения ионов в подложку
- Изготовление самосовмещенного
Конструктор . 2. В группе Подложки
- Руководство для выполнения практических работ по дисциплине: «анализ и проектирование бизнес систем»
-Тема. Виды эпитаксии, способы выращивание. Подготовка подложки
- Учебно-методический комплекс по предмету наноэпитаксиальные слои и гетеросистемы Ташкент-2022 год. Данный учебный материал предназначен для магистров специальности «Нанотехнология полупроводниковых материалов»
Настраиваемая подложка
- O„zbekiston Respublikasi oliy va o„rta maxsus ta‟lim vazirligi Toshkent Arxitektura Qurilish Instituti
Подложка
- И В. С. Ямпольсний о основы автоматики и электронно- вычислительной техники нститутов

Морфологии и фотоэлектрические свойства твердого раствора (GaAs)1-x
1-х(Ge2)x на подложках GaAs методом жидкофазной эпитаксии. Морфологические исследования показали, что наблюдаемые наноконусы на поверхности эпитаксиальных слоев (GaAs)1-х(Ge2)x могут быт связаны с примесными атомами Ge
282,5 Kb.

o'qib