| Ш. Н. Ибодуллаев, С. Й. Махмудов, Ш. Шомилова T=1075÷1080 C и в течение t=70÷90 минут с последующим резким охлаждением. После диффузии поверхность образцов подвергалась необходимой механической и химической обработке для удаления низкоомного поверхностного слоя 72,06 Kb. 1 | o'qib |